[实用新型]氮化硅陶瓷发热体有效
申请号: | 200820003264.2 | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN201146606Y | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 史晓东 | 申请(专利权)人: | 史晓东 |
主分类号: | H05B3/10 | 分类号: | H05B3/10 |
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地址: | 100076北京市大兴区旧宫镇工业*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 陶瓷 发热 | ||
1、一种氮化硅陶瓷发热体,它包括发热源、陶瓷载体以及连接在发热源上的电极(4),其特征在于所述的发热源为高温电热膜,所述的陶瓷载体为氮化硅陶瓷,所述的氮化硅陶瓷载体包括上氮化硅陶瓷片(1)和下氮化硅陶瓷片(3),所述的高温电热膜(2)印刷在所述的下氮化硅陶瓷片(3)的表面。
2、权利要求1中所述的氮化硅陶瓷发热体,其特征在于所述的上氮化硅陶瓷片(1)和印刷有高温电热膜(2)的下氮化硅陶瓷片(3)为一个烧结成为一体的整体结构。
3、权利要求1中所述的氮化硅陶瓷发热体,其特征在于所述的上氮化硅陶瓷片(1)和下氮化硅陶瓷片(3)均为烧结成瓷的氮化硅陶瓷片
4、权利要求1或2中所述的氮化硅陶瓷发热体,其特征在于在所述的上氮化硅陶瓷片(1)的一端设置有电极引出凹口(5),所述的电极(4)从凹口(5)中引出。
5、权利要求4中所述的氮化硅陶瓷发热体,其特征在于在所述的上氮化硅陶瓷片(1)上的电极引出凹口(5)为两个。
6、权利要求1或2中所述的氮化硅陶瓷发热体,其特征在于在所述的上氮化硅陶瓷片(1)的一端设置有电极引出端,所述的电极引出端为“凸”字结构(6),所述的电极从所述的电极(4)“凸”字结构(6)的凸出部分的两边引出。
7、权利要求6中所述的氮化硅陶瓷发热体,其特征在于所述的下氮化硅陶瓷片(3)的一端也设置成为相同的“凸”字结构(7)。
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