[实用新型]具有高反射光学薄膜结构的发光二极管无效
| 申请号： | 200820003863.4 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN201207395Y | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 林瑞奇 | 申请（专利权）人： | 晶吉光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 反射 光学薄膜 结构 发光二极管 | ||
1.具有高反射光学薄膜结构的发光二极管，其特征为：其包含：
一基材，其为透光的片状材料；
一发光结构层，其为固定形成于该基材之上表面的发光半导体结构；以及
一高反射光学薄膜结构，其与该基材形成一高反射阻抗匹配而固定形成于该基材的下表面，其包含复数层相互迭合的不同厚度及不同材料种类的介电光学薄膜。
2.如权利要求1所述的具有高反射光学薄膜结构的发光二极管，其特征为：所述介电光学薄膜的厚度介于数个奈米至数百奈米之间。
3.如权利要求1或2所述的具有高反射光学薄膜结构的发光二极管，其特征为：所述高反射光学薄膜结构由该基材至一空气介质之层状堆栈结构如下表：
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