[实用新型]具有高反射光学薄膜结构的发光二极管无效

专利信息
申请号: 200820003863.4 申请日: 2008-02-29
公开(公告)号: CN201207395Y 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 林瑞奇 申请(专利权)人: 晶吉光电科技(上海)有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 具有 反射 光学薄膜 结构 发光二极管
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种发光二极管,尤其是关于一种下表面镀制一高反射光学薄膜而提升该发光二极管发光效能的发光二极管。

背景技术

请参考图4,其为传统发光二极管(50)的剖面示意图,其包含一基材(52)、依序磊晶形成于该基材(52)上表面的一N型半导体层(54)以及一P型半导体层(56),以及形成于该基材(52)下表面的反射结构(58),该反射结构(58)包含形成于该基材(52)下表面的一反射微结构(581)、一以有机金属气相磊晶法(MOVPE)镀制于该反射微结构(581)的金属反射层(582)以及一形成于该金属反射层(582)的胶体(583)。当光输出由该N型半导体层(54)以及该P型半导体层(56)接面处输出时,局部的光朝该基材(52)方向前进直至该反射金属层(582)后,才折返朝该P型半导体层(56)的方向前进,以增加该发光二极管(50)的光输出效率。

然而,前述的反射结构(58)达到反射效果是由该金属反射层(582)将光局部反射而朝反方向前进,而该金属反射层(582)的反射效果通常不佳,且常会吸收局部波长的光,导致最后的光输出波长变调。另外,该胶体(583)以及该金属反射层(582)的材料特性差异太大,因此,二者之间的附着性通常不佳,导致结构强度不足。

实用新型内容

为了解决前述传统的发光二极管的反射结构效能不佳、无法纯化输出光以及结构强度不佳的问题,本实用新型的目的为提供一种提升反射效能、纯化输出光以及加强附着能力的具有高反射光学薄膜结构的发光二极管。

实现上述目的的技术方案如下:

具有高反射光学薄膜结构的发光二极管,其包含:一基材,其为透光的片状材料;一发光结构层,其为固定形成于该基材之上表面的发光半导体结构;以及一高反射光学薄膜结构,其与该基材形成一高反射阻抗匹配而固定形成于该基材的下表面,其包含复数层相互迭合的不同厚度及不同材料种类的介电光学薄膜。

其中,该介电光学薄膜之厚度介于数个奈米至数百奈米之间。

其中,该介电光学薄膜之层状迭合结构如下表:

 

层数材料厚度(nm)Substrate(基材)Sapphire(蓝宝石)1Tio273.592Sio2111.913Tio272.594sio2133.735Tio259.066sio2129.867Tio247.778sio2129.63

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