[实用新型]影像感测组件的封盖及影像感测组件无效

专利信息
申请号: 200820005427.0 申请日: 2008-02-22
公开(公告)号: CN201163631Y 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 王志鑫;苏铃达 申请(专利权)人: 菱光科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/04
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 方挺;沈锦华
地址: 中国台湾台北县新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 影像 组件
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种影像感测组件,尤其涉及一种利用封盖对影像感测芯片进行封装的影像感测组件。

背景技术

影像感测组件常见于手机、笔记型计算机等可携式电子装置中,用以提供照相或摄影的功能。

常见的影像感测组件是利用多条焊线跨接于基板及该影像感测芯片之间,以电连接该基板及该影像感测芯片。并且,利用一封盖对基板上的影像感测芯片与这些焊线进行封装。

然而,在可携式电子装置的轻薄短小的趋势下,各厂家无不积极开发体积更小,且厚度更薄的影像感测组件。因此,如何在不影响结构强度及固有功能下,对影像感测组件的各组件进行改良,以使影像感测组件具有更薄的厚度,已成为各厂家所重视的重要课题。

实用新型内容

本实用新型的一个目的,在于提供一种用于减小影像感测组件的厚度的封盖。

本实用新型的另一目的,在于提供一种厚度更薄的影像感测组件。

为达成上述目的,按照本实用新型提供的影像感测组件的封盖,用以封盖电路基板上的影像感测芯片及多根电连接于所述电路基板和所述影像感测芯片之间的焊线,所述封盖包括:环绕壁部,设于所述电路基板上并环绕所述影像感测芯片及所述焊线;及顶壁部,由所述环绕壁部的顶缘向内延伸并形成有对应所述影像感测芯片的通孔,且所述顶壁部的底面向上凹陷形成有用于对应容置所述焊线的容置槽。

按照本实用新型提供的影像感测组件,包括:电路基板;影像感测芯片,设置于所述电路基板上;多根焊线,电连接于所述电路基板和所述影像感测芯片之间;以及封盖,包括设于所述电路基板上并环绕所述影像感测芯片及所述焊线的环绕壁部,以及一由所述环绕壁部的顶缘向内延伸的顶壁部,所述顶壁部形成有对应所述影像感测芯片的通孔,且所述顶壁部的底面向上凹陷形成有一用以容置所述焊线的容置槽。

按照本实用新型提供的影像感测组件的封盖及影像感测组件,由于在封盖的顶壁部底面形成有用以容置电连接于影像感测芯片及电路基板之间的焊线的容置槽,因而可降低顶壁部底面相距影像感测芯片上表面的高度,使影像感测组件的整体厚度得以减小。

附图说明

图1为本实用新型的影像感测组件的剖视示意图;

图2为本实用新型的影像感测组件的封盖的立体示意图;

图3为本实用新型的影像感测组件的封盖另一角度的立体示意图。

【主要组件符号说明】

21电路基板        22影像感测芯片

23焊线            24封盖

241环绕壁部       242顶壁部

243通孔           244容置槽

25透光片

具体实施方式

有关本实用新型的技术内容,在以下配合附图给出的优选实施方案中,将可清楚的说明:

参阅图1,图中示出了本实用新型的影像感测组件的一种优选实施方案。该影像感测组件包括电路基板21、影像感测芯片22、多根焊线23、封盖24和透光片25。

电路基板21具有设于其上表面的多个电极(图中未示)。

影像感测芯片22设置于电路基板21上,影像感测芯片22可为电荷耦合感测组件(CCD)或互补式金氧半感测组件(CMOS)。且影像感测芯片22具有设于其上表面周缘的多个焊垫(图中未示)。

上述焊线23分别电连接于电路基板21的电极与影像感测芯片22的焊垫之间。

封盖24包括设于电路基板21上并环绕影像感测芯片22及焊线23的环绕壁部241,以及由环绕壁部241的顶缘向内延伸的顶壁部242。配合参阅图2,顶壁部242形成有一对应位于影像感测芯片22上方的通孔243。并且,配合参阅图3,顶壁部242的底面还向上凹陷形成有一用以容置焊线23的容置槽244。在本实施例中,容置槽244沿通孔243周围呈环状延伸,实际实施时不以此为限,而只要对应容置焊线23即可。

透光片25对应嵌设于通孔243内。透光片25可为滤红外光玻璃(IR cut glass)、抗反射玻璃(AR glass)、蓝光玻璃(blue glass)或透明玻璃。

通过在封盖24的顶壁部242的底面向上凹陷形成容置槽244,以容置跨接于影像感测芯片22及电路基板21之间的焊线23,从而可降低顶壁部242底面相距影像感测芯片22上表面的距离,使影像感测组件的整体厚度得以减小,确实达成本实用新型的目的。

上述实施例仅供说明本实用新型之用,而并非对本实用新型的限制,本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围的前提下,所做出的各种等效结构变化皆在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围由权利要求限定。

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