[实用新型]导线架及电气连接结构无效

专利信息
申请号: 200820008768.3 申请日: 2008-04-03
公开(公告)号: CN201181700Y 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 李明芬 申请(专利权)人: 勤益股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/495
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 导线 电气 连接 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型是有关于导线架及电气连接结构的技术领域,尤其是有关导线架其中一导引脚焊接区的特殊设计,让导引脚间距小于1.4mm的条件下,该导引脚接焊焊区仍能以焊接带进行电气的连结。

背景技术

于一般已知的半导体功率元件晶粒与导引脚的电气连结的情况中,相较于流经控制栅极的电流而言,由于半导体功率元件晶粒必须容纳极大的电流通过其晶体管的源极,因此,于半导体功率元件晶粒的表面上,源极所占的面积几乎涵盖了整个晶体表面,同时须由多条不同长短的金焊线,而使半导体功率元件晶粒的晶体管源极与导线架的多个导引脚做电气连结。对于栅极而言,由于为控制电极,因而,不会有太大的电流流经,是以,栅极所占的晶粒表面大小将远小于源极所占的面积,且仅需一条金焊线而与导引脚做电气连结。对于漏极而言,由于整个漏极与导线架的底部表面相贴而与导引脚做电气连结,所以并不需要金焊线电气连结。

由于黄金价格一直以来居高不下,在功率半导体表面粘着元件的封装中,黄金占据主要材料成本。因而,有以焊接带作业而补足金线作业的所不足,于是本创作人于中国台湾专利公告号M290306的“半导体功率晶体的焊线结构”新型专利中,提出了于小尺寸封装SOP中以铝带及/或铜带来取代大部份的金焊线焊接方式的半导体功率晶体焊接结构。然而,该专利的铝带及/或铜带焊接型式,仅适用于将三个导引脚或四个导引脚连接在一起的单颗晶粒应用,因为只有将多个导引脚连接在一起所形成的焊接区,才足以提供铝带焊接所须的作业空间。迄今,前述专利无法应用在二颗晶粒以上,或导引脚间距较小的封装产品处。

目前已知的具有多颗晶粒的半导体封装,由于导引脚间距较小(例如导引脚间距为1.4mm及以下),且封装后的数导引脚彼此独立分开不能连接在一起,因此这类半导体的封装作业,晶粒与导引脚之间仍须以金线作连接,金的使用量较大,在现今金价高涨的情形,造成厂商生产成本大幅增高,使获得相对减少。

是故,本创作人寻求一种导线架及电气连接结构,在导引脚间距小的条件下,不管导线架放置着多少个半导体晶粒,皆能以焊接带进行半导体晶粒与导引脚的连接作业,由此减少使用打金焊线的情况下来节省封装成本。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种特殊的导线脚焊接区的导线架及电气连接结构,该导线架提供了一个适当的导引脚的焊接区的范围,此范围能让使用者在导引脚间距在1.4mm的条件下,乃能进行至少二个或多个半导体晶粒与导引脚的焊接带的电气联结作业。该焊接带可为铝带、铜带、银带…等。该导引脚间距是指相邻两导引脚的中心距离。

本实用新型的次要目的在提供一种应用范围广的导线架及电气连接结构,本实用新型能广泛运用于导引脚间距小、且仍希望使用焊接带作焊接的半导体元件的封装的中,而内部所容置的晶粒也不限两个,由此本实用新型的设计能应用于更多不同种类的半导体元件封装之中。

为达到以上所述的目的,本实用新型提供一种导线架及电气连接结构,用于导引脚间距在1.4mm以下的半导体元件,包含:

一个晶粒承座单元,其上承载着至少二个半导体晶粒;以及

至少二组导引脚单元,每组导引脚单元包含一第一导引脚及一第二导引脚,封装后各导引脚彼此并未相连,每一组导引脚单元与相对应的一个半导体晶粒相配合,该第一导引脚处具有一焊接带与半导体晶粒相对的电极连接,而第二导引脚具有一焊线与半导体晶粒的另一电极相连接,其特征在于:该第一导引脚的焊接区的纵向最大宽度大于或等于0.45mm,横向最小宽度介于或等于0.4mm-1.2mm,该第一导引脚与第二导引脚之间的焊接区并未接触且具有一间隙及一夹角,该夹角大于或等于30度。

其中该导引脚间距是指邻近两导引脚中心的距离。

其中该晶粒承座单元由一独立的晶粒承座所构成,该晶粒承座上具有至少两个半导体晶粒设置于此。

其中该晶粒承座单元是由至少两个独立的晶粒承座所构成,每一晶粒承座仅具有一个半导体晶粒设置于此。

其中该第一导引脚是以焊接带焊接方式连接于该半导体晶粒的晶体管源极,而该第二导引脚是以焊线焊接方式连接于与该半导体晶粒的晶体管栅极。

其中该焊接带的宽度为小于或等于0.8mm。

其中该焊线为金线。

其中该焊接带为铝带。

其中该焊接带为铜带。

其中该焊接带为银带。

本实用新型的有益效果是:

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