[实用新型]一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种等离子体电极板，尤其涉及对薄膜的沉积提供进均匀进气匀气的一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板。

背景技术

进气匀气装置和产生等离子体的电极板，对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的薄膜沉积质量和效率至关重要。现有的等离子体电极板存在有以下问题：

1、气体不能在匀气腔内形成等压气场，从而造成电极表面的等离子体密度不均，因此影响了薄膜厚度的均匀性，使产品技术参数的离散性较大，对批量生产形成了不容忽视的影响。

2、电极结构需要多重密封和必备的水冷，因而结构复杂，造成工作可靠性降低，故障率较高。

3、RF电源引入电极板距离较大，且为非低阻材料，造成电源引入损耗较大。

实用新型内容

为解决上述技术问题本实用新型提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板，目的是解决进气均匀的问题，达到产生均匀气场和高密度均匀等离子体，以使PECVD镀膜更稳定、可靠，以达到更高的镀膜质量。

为达上述目的本实用新型一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板，是由下述结构构成：等离子体输出板、电极腔体，在电极腔体内设有匀气障板和电极匀气板，匀气障板设在电极腔体上的出气口处，出气口与进气管连接，射频电缆设在进气管上，电极匀气板将电极腔体隔离成第一匀气腔和第二匀气腔。

所述的电极腔体后部设有电极屏蔽板。

所述的电极腔体与电极屏蔽板之间设有暗区绝缘板。

所述的电极屏蔽板固定在电极支架上。

所述的第一匀气腔高度为20-40mm，第二匀气腔高度为2-6mm。

所述的电极匀气板上设有匀气孔，匀气孔的直径为0.5-1.5mm。

所述的出气口设有卡套式密封连接组件，进气管穿过卡套式密封连接组件。

所述的卡套式密封连接组件与接头座连接，进气管穿过接头座。

所述的接头座为两个，在两个接头座之间设有气路绝缘子，进气管穿过气路绝缘子。

所述的气路绝缘子由下述结构构成：两端为与接头座连接的输气密封管，输气密封管与过渡接头连接，两个过渡接头之间设有绝缘陶瓷管，绝缘陶瓷管与过渡接头用封接冒钎焊。

本实用新型的优点效果：匀气障板缓冲了出气口的气体，使在第一匀气腔内产生均匀气场和高密度均匀等离子体，结构简单、便于批量生产和维护，提高了可靠性，降低了成本。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型气路绝缘子的结构示意图。

图中：1、等离子体输出板；2、匀气障板；3、电极匀气板；4、出气口；5、电极腔体；6、进气管；7、射频电缆；8、第一匀气腔；9、第二匀气腔；10、电极屏蔽板；11、暗区绝缘板；12、电极支架；13、匀气孔；14、卡套式密封连接组件；15、接头座；16、气路绝缘子；17、输气密封管；18、过渡接头；19、绝缘陶瓷管；20、封接冒；21、螺母。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图所示本实用新型一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板，由下述结构构成：电极腔体5，在电极腔体5内设有匀气障板2和电极匀气板3，电极匀气板3上设有匀气孔13，匀气孔13的直径为0.5-1.5mm；匀气障板2设在电极腔体5上的出气口4处，出气口4与进气管6连接，射频电缆7设在进气管6上，电极匀气板3将电极腔体5隔离成第一匀气腔8和第二匀气腔9，第一匀气腔8高度为20-40mm，第二匀气腔9高度为2-6mm；电极腔体3的前部为等离子体输出板1，电极腔体3后部设有电极屏蔽板10，电极腔体3与电极屏蔽板10之间设有暗区绝缘板11，电极屏蔽板10固定在电极支架12上；出气口4设有卡套式密封连接组件14，进气管6穿过卡套式密封连接组件14，卡套式密封连接组件14上设有螺母21，射频电缆7接线端固定在螺母21上，卡套式密封连接组件14与接头座15连接，进气管6穿过接头座15，接头座15为两个，在两个接头座15之间设有气路绝缘子16，进气管6穿过气路绝缘子16。

气路绝缘子16由下述结构构成：两端为与接头座15连接的输气密封管17，输气密封管17与过渡接头18连接，两个过渡接头18之间设有绝缘陶瓷管19，绝缘陶瓷管19与过渡接头用封接冒20钎焊，过渡接头18与输气密封管17为氩弧焊。

本实用新型的工作原理：气体通过进气管进入，从出气口进入到第一匀气腔，气体受匀气障板的阻挡，向四周均匀散去，使第一匀气腔内的气体流动距离得到调整，在匀气障板的阻尼作用下，使匀气板与输出板之间的气场实现均匀分布，腔内压强趋于一致，再通过匀气孔均匀地进入到第二匀气腔，并在输出板表面形成均匀的等离子体分布。