[实用新型]智能化瓷砖真空离子镀膜设备

说明书

技术领域：

本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备。

技术背景：市场对建筑陶瓷制品、陶瓷工艺制品表面和氮化铝陶瓷基片表面金属化性能要求愈来愈高，为了使瓷砖等陶瓷制品产品档次升级，出现了利用真空镀膜设备对陶瓷表面进行镀膜，而现有的真空镀膜设备采用的是工频铁芯弧焊机进行镀膜，存在体积大、损耗高、镀膜效果差，且操作复杂、生产效率低的缺陷。

发明内容：

本发明的目的在于克服现有技术不足，提供一种镀膜工艺和操作程序简单，生产效率高，镀膜效果好的智能化瓷砖真空离子镀膜设备。

本实用新型的技术方案是：一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备，包括与真空抽气系统相连的真空室、转件架式多功能样品台、均布于真空室两侧的电弧金属离子源和PLC可编程集中控制器，其特征是转件架式多功能样品台与真空室绝缘，气体离子清洗源的清洗电极位于转件架式多功能样品台上，并与真空室外气体离子清洗电源相连，电弧金属离子源为30个，离子源与镀件间距为150mm。

其中，所述电弧金属离子源的电源采用IGBT逆变式开关电源，工作电压20-30V，工作电流50-150A。

所述逆变式开关电源整流部分采用三相全桥整流模块，滤波部分由8只470μf/450v的电解电容C₁-C₈串、并联组成，正负极两端并联30K/12W放电电阻R₁、R₂，直流与交流变换器采用移相控制全桥逆变结构，开关管Vt₁-Vt₄分别由两只IGBT单管并联组成，并通过各自单一分开的栅极电阻与移相控制电路相连，谐振电感Lr与主功率变压器T初级线圈串联，防偏磁隔直电容采用4只1μf/630V的CBB电容C₉-C₁₂并联组成，主功率变压器T磁芯采用铁氧体磁芯，变比N＝8，次级采用中心抽头的全波整流方式。

由于采用上述技术方案，与现有技术相比具有对镀件进行气体离子清洗，镀膜层的质量和效果好；均布于真空室两侧30个电弧离子源与镀件间距为150mm，可最大限度的减少膜层中的微粒，使膜层致密光亮，增强膜-基结合力，并大幅度的缩短了膜层镀制时间；采用IGBT逆变式开关电源，用阴极电弧光放电离化阴极靶材，与传统工频铁芯弧焊机相比具有低损耗、体积小，且电源输出为高频脉冲波形，提高了阴极靶材离化率，使薄膜细致，增强了膜-基结合力的优点。

附图说明：

以下结合附图和具体实施例来对本实用新型的技术方案做进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是图1的左视图。

图3是本实用新型的逆变式开关电源的电路原理图。

具体实施方式：

参考图1-图3，一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备，包括与真空抽气系统7相连的真空室4、转件架式多功能样品台5、均布于真空室两侧的电弧金属离子源2和PLC可编程集中控制器，转件架式多功能样品台5与真空室绝缘，气体离子清洗源的清洗电极6位于转件架式多功能样品台5上，并与真空室外气体离子清洗电源1相连，电弧金属离子源2为30个，离子源与镀件3间距为150mm。电弧金属离子源的电源采用IGBT逆变式开关电源，工作电压20-30V，工作电流50-150A。逆变式开关电源整流部分采用三相全桥整流模块，滤波部分由8只470μf/450v的电解电容C₁-C₈串、并联组成，正负极两端并联30K/12W放电电阻R₁、R₂，直流与交流变换器采用移相控制全桥逆变结构，开关管Vt₁-Vt₄分别由两只IGBT单管并联组成，并通过各自单一分开的栅极电阻与移相控制电路相连，谐振电感Lr与主功率变压器T初级线圈串联，防偏磁隔直电容采用4只1μf/630V的CBB电容C₉-C₁₂并联组成，主功率变压器T磁芯采用铁氧体磁芯，变比N＝8，次级采用中心抽头的全波整流方式。