[实用新型]大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线无效
申请号: | 200820054388.3 | 申请日: | 2008-09-05 |
公开(公告)号: | CN201261804Y | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 郭爱云;朱选敏;孙桂红;祝海生 | 申请(专利权)人: | 郭爱云 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/56 |
代理公司: | 湘潭市雨湖区创汇知识产权代理事务所 | 代理人: | 左祝安 |
地址: | 411104湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大面积 反射 导电 连续 磁控溅射 镀膜 生产线 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种真空镀膜生产线,尤其涉及用于大面积光学介质膜和透明导电膜组成的抗反射导电膜,并能实现基片装载连续循环和不间断生产大面积抗反射导电膜产品的连续磁控溅射镀膜生产线。
背景技术
现有传统的导电膜玻璃生产线采用的工艺为在玻璃基板上镀氧化硅(SiO2)隔离层和透明导电层(一般采用镀氧化铟锡ITO透明导电膜)。例如中国专利号为01258489.4授权公告号为CN2516564Y的实用新型专利,公开了一种具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置,该装置设计有中频反应磁控溅射SiO2镀膜室、气体隔离装置、ITO镀膜室,前、后端过渡真空室分别接有扩散泵,气体隔离装置由两个相通的隔离室、分子泵和扩散泵组成,连接中频反应磁控溅射SiO2镀膜室的隔离室接有分子泵,与ITO镀膜室相连的隔离室接有扩散泵,ITO镀膜室接有分子泵。该连续磁控溅射镀膜生产线为传统透明导电膜生产线,这种生产线的局限在于:其一,只具有简单的一个SiO2镀膜室和一个ITO透明导电膜镀膜室,所形成的透明导电膜在可见光范围内的透过率一般在89%—90%范围内,不能生产具有高透射率的抗反射导电膜玻璃产品;其二,在反应溅射镀膜室(SiO2溅射镀膜室)和透明导电膜溅射镀膜室(ITO溅射镀膜室)的两端没有传送室,基片装载架的传送速度快慢转换比小,生产效率较低;其三,反应溅射膜镀膜室(SiO2溅射镀膜室)和透明导电膜镀膜室(ITO溅射镀膜室)之间只有两个真空隔离室,并且没有阀门隔离,气氛隔离效果不明显,因此不适合进行其它新产品的工艺开发;其四,进片区和出片区的高真空抽气室没有独立的抽气系统,影响生产在线上下工序的整体同步联接;其五,生产线采用扩散泵进行高真空抽气,不利于高质量透明导电膜的生产。
目前工业上制造大面积抗反射导电膜的方法有两种,其一,直接购买使用溶胶—凝胶法(Sol—Gel法)制备的抗反射膜,再进行透明导电膜镀膜,形成抗反射导电膜;其二,采用现有的大面积导电膜溅射镀膜生产线,通过反复多次溅射镀膜,形成由高低折射率组成的抗反射膜和导电膜。但是这两种方法都存在着很多问题,对于Sol-Gel法制备抗反射导电膜存在以下问题:(1)Sol-Gel法制备的抗反射膜工艺复杂,生产成本高;(2)Sol-Gel法镀膜的材料有限,抗反射膜堆的结构设计不易改变;(3)Sol-Gel法制备透明导电膜的技术还不成熟,不能一次完成制备抗反射膜与镀透明导电膜,如采用Sol-Gel法制备抗反射膜还需要再采用溅射的方法镀透明导电膜;而现有的透明导电膜生产线制备抗反射导电膜也存在以下问题:(A)采用现有的大面积导电膜镀膜生产线镀抗反射膜,由于溅射镀膜的沉积速率低,需要反复镀膜,有的抗反射膜堆设计需要反复镀膜几十次;(B)现有的反应溅射靶Si靶与ITO靶的结构和尺寸不一致,不适合产品工艺的变化;(C)现有生产线使用的膜层结构太复杂,不适合大批量连续生产。
随着高清晰显示技术在平板显示领域日益广泛的应用,高质量的大面积抗反射导电膜也随着市场的需求正在稳步增长。然而这类技术的基本原理就是采用镀了多层抗反射导电膜的玻璃替代普通的透明导电膜玻璃。但目前能够实现大批量生产大面积抗反射导电膜生产的设备都存在工艺复杂、成本较高的特点。
发明内容
针对上述情况,本实用新型的目的在于提供一种适合大批量生产,低生产成本,溅射沉积速率高,工艺通用性好,可以广泛用于各类显示面板玻璃的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线,用该生产线生产出的产品,具有高透射率,而且膜层结构简单、反射色度均匀和较优良的导电性能。
为了实现上述目的,一种大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线,它包括在机座横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室、前过渡室、前传送室、介质膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV、介质膜镀膜室V、隔离传送室I、隔离室、隔离传送室II、导电膜镀膜室、后传送室和后过渡室组成的真空室组区以及紧邻的进片区、出片区,进片区由进片平移架、进片架组成,出片区由出片室、出片架I、出片架II、出片平移架组成,于真空室组区、进片区和出片区上设置磁导向传送装置并与适配的工件回行架组成沿装载架镀膜运行方向和装载架回行运行方向连续循环运行的生产环路,实现基片的大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜。
为了实现结构优化,其进一步的措施是:
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