[实用新型]感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置有效
申请号: | 200820063602.1 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN201241194Y | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 周世斌;石全洲;邓丽华;王国强;叶茂 | 申请(专利权)人: | 成都东骏激光有限责任公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吴彦峰 |
地址: | 611630四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感应 加热 坩埚 提拉法 激光 晶体生长 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及激光晶体结晶工艺学领域。
背景技术
目前感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置,一是在侧保温系统上,几乎都采用在铱坩埚周围使用ZrO2砂,这种结构铱坩埚挥发严重、并且铱坩埚外表面污染也很严重,降低了铱坩埚的使用寿命;二是在铱坩埚的上面采用铱环,无形增加了晶体的生长成本;三是装调很不方便
实用新型内容
本实用新型的目的在于:提供一种感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置,它很好地解决了目前感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置中存在的铱坩埚挥发严重、表面污染严重,铱坩埚使用寿命短,成本高,装调不方便等弊病。
本实用新型的技术方案是:一种感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置,包括底部的陶瓷托盘和垫板,陶瓷托盘上设有陶瓷保温筒,陶瓷保温筒外侧设有感应线圈,陶瓷保温筒内侧设有ZrO2保温砖,垫板上面设有铱坩埚,且铱坩埚位于ZrO2保温砖的内侧,铱坩埚内装有熔体,陶瓷保温筒和ZrO2保温砖上端设有带有观察口的上保温筒和陶瓷观察挡板,且陶瓷观察挡板位于上保温筒观察口的外侧,铱坩埚上方设有籽晶杆,籽晶杆下端装有籽晶,籽晶下端位于熔体的上方,且籽晶杆、籽晶均位于上保温筒的内侧。
本实用新型在使用时,下降籽晶与铱坩埚内的熔体接触,通过向上提拉、旋转籽晶,调整加热功率,就可不断生长出晶体。
本实用新型的有益效果是:结构简单、温场稳定、装调方便、铱坩埚挥发轻、铱坩埚表面不受污染、使用寿命长等优点,并且相对投入小、功率低、生长成本低。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
附图说明
附图是本实用新型的结构示意图;
附图标记:1是籽晶杆,2是籽晶,3是晶体,4是熔体,5是上保温筒,6是陶瓷观察挡板、7是铱坩埚,8是感应线圈,9是ZrO2保温砖,10是陶瓷保温筒,11是垫板,12是陶瓷托盘,13为观察口。
具体实施方式
如附图所示,一种感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置,包括底部的Al2O3陶瓷托盘12和ZrO2垫板11,Al2O3陶瓷保温筒10置于Al2O3陶瓷托盘12上,Al2O3陶瓷保温筒10的外侧为感应线圈8,Al2O3陶瓷保温筒10的内侧设有ZrO2保温砖9,装有熔体4的铱坩埚7置于ZrO2垫板11的上面,且铱坩埚7位于ZrO2保温砖9的内侧,Al2O3陶瓷保温筒10和ZrO2保温砖9上端设有带有观察口13的ZrO2上保温筒5和Al2O3陶瓷观察挡板6,Al2O3陶瓷观察挡板6位于ZrO2上保温筒5观察口13的外侧,铱坩埚7上方有铱籽晶杆1,铱籽晶杆1下端装有籽晶2,使用时,通过向上提拉、旋转籽晶2,调整加热功率,就可不断生长出晶体3,籽晶杆1、籽晶2、晶体3位于ZrO2上保温筒5的内侧。陶瓷保温筒10是可采用刚玉莫莱石制成。
需要说明的是:虽然上述实施例已经详细描述了本实用新型的结构,但本实用新型并不限于上述实施例,凡是本领域技术人员从上述实施例中不经过创造性劳动就可以想到的替换结构,均属于本实用新型的保护范围。
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