[实用新型]LCOS像素单元器件结构

权利要求书

1、LCOS像素单元器件结构，包括一个N型阱(4)、一个NMOS管和一个电容器，其特征在于，还包括一个PMOS管，所述的N型阱(4)、NMOS管和PMOS管置于P型硅衬底(13)上，P型硅衬底(13)之上覆盖第1层绝缘层(16)，第2层绝缘层(18)设置在第1层绝缘层(16)之上，第3层绝缘层(19)设置在第2层绝缘层(18)之上，电容器设置在第3层绝缘层(19)之上。

2、根据权利要求1所述的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，所述的NMOS管的漏极(9)、NMOS管的源极(6)、NMOS管的背电极(15)设置在P型硅衬底(13)中，所述的NMOS管的背电极孔塞(17)贯穿第1层绝缘层(16)和第2层绝缘层(18)，地线(5)、地线孔塞(20)设置在第3层绝缘层(19)之中，NMOS管的背电极孔塞(17)连接NMOS管的背电极(15)和地线(5)。

3、根据权利要求1所述的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，所述的PMOS管的背电极(1)、PMOS管的漏极(2)、PMOS管的源极(6)设置在N型阱(4)中。

4、根据权利要求1所述的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，所述的PMOS管的栅极(3)、NMOS管的栅极(11)设置在第1层绝缘层(16)之中。

5、根据权利要求1所述的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，所述的PMOS管的背电极孔塞(25)贯穿第1层绝缘层(16)连接电源线，PMOS管的源极孔塞(7)和NMOS管的漏极孔塞(10)贯穿第1层绝缘层(16)。

6、根据权利要求5所述的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，输入金属连线(8)设置在第2层绝缘层(18)之中，输入金属连线(8)连接PMOS管的源极孔塞(7)和NMOS管的漏极孔塞(10)。

7、根据权利要求1所述的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，所述的电容器的绝缘层(23)设置在第3层绝缘层(19)之上，所述的电容器的下电极(22)设置在电容器的绝缘层(23)之中，地线孔塞(20)连接电容器的下电极(22)和地线(5)。

8、根据权利要求1所述的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，所述的PMOS管的漏极孔塞(12)贯穿第1层绝缘层(16)、第2层绝缘层(18)、第3层绝缘层(19)，所述的电容器的绝缘层(23)连接到PMOS管的漏极(2)，且所述的NMOS管的源极孔塞(21)贯穿第1层绝缘层(16)、第2层绝缘层(18)、第3层绝缘层(19)、电容器的绝缘层(23)连接到NMOS管的源极(14)。

9、根据权利要求8所述的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，所述的电容器的上电极(24)设置在电容器的绝缘层(23)之上，且电容器的上电极(24)连接PMOS管的漏极孔塞(12)和NMOS管的源极孔塞(21)。

10根据权利要求1或7或8或9所述的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，所述的电容器的绝缘层(23)厚度是50纳米～100纳米。