[实用新型]一种整流电桥电路有效

专利信息
申请号: 200820115926.5 申请日: 2008-06-04
公开(公告)号: CN201204552Y 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 颜景龙;刘星;李风国;赖华平;张宪玉 申请(专利权)人: 北京铱钵隆芯科技有限责任公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100098北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 整流 电桥 电路
【权利要求书】:

1.一种整流电桥电路,其特征在于:

所述整流电桥电路包含两个PMOS管、和两个NMOS管,分别为PMOS管一、PMOS管二、NMOS管一、和NMOS管二;

所述PMOS管一的漏极和衬底、所述PMOS管二的漏极和衬底连接在一起,共同构成所述整流电桥电路的输出的正极;所述NMOS管一的源极和衬底、所述NMOS管二的源极和衬底连接在一起,共同构成所述整流电桥电路的输出的负极;

所述整流电桥电路的一个输入端同时连接到所述PMOS管一的源极、所述PMOS管二的栅极、所述NMOS管一的漏极、和所述NMOS管二的栅极,所述整流电桥电路的另一个输入端同时连接到所述PMOS管二的源极、所述PMOS管一的栅极、所述NMOS管二的漏极、和所述NMOS管一的栅极。

2.按照权利要求1所述的整流电桥电路,其特征在于:

所述整流电桥电路还包含两个二极管,

两个所述二极管的阳极分别连接所述整流电桥电路的两个输入端;两个所述二极管的阴极彼此相连,并同时连接到两个所述PMOS管各自的漏极和衬底。

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