[实用新型]非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构

权利要求书

1.一种非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，包括一非导电性基材和一光泽层，其特征在于：

所述非导电性基材的表面上配置一接口层；

所述光泽层配置于所述接口层上。

2.根据权利要求1所述的非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，其特征在于，还包括一可通过所述结构的发射源，所述发射源是可提供无线电波、微波、红外线、可见光、紫外线、X射线及γ射线中的1种或2种以上发射的。

3.根据权利要求1所述的非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，其特征在于，所述接口层是以真空溅镀方式形成于所述非导电性基材与所述光泽层之间。

4.根据权利要求1所述的非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，其特征在于，所述接口层以高分子材料、漆料或树脂组成。

5.根据权利要求1所述的非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，其特征在于，所述至少一光泽层是以真空溅镀方式形成的高电阻抗高光泽金属膜层。

6.根据权利要求5所述的非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，其特征在于，所述光泽层是选自锡、铟、铝、铬中的1种或2种以上金属或其化合物质组成。

7.根据权利要求1所述的非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，其特征在于，所述光泽层上进一步配置一功能层，所述功能层包含一颜色层，及一配置于所述颜色层上的保护层。

8.根据权利要求7所述的非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，其特征在于，所述颜色层是以真空溅镀方式形成。

9.根据权利要求7所述的非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，其特征在于，所述颜色层是以高分子材料、漆料或树脂，添加奈米色料或奈米消光粉，用以形成不同的亚光程度。

10.根据权利要求7所述的非导电性基材上高电阻抗高光泽金属结构，其特征在于，还包括一可通过上述结构的发射源，所述发射源是可提供无线电波、微波、红外线、可见光、紫外线、X射线及γ射线中的1种或2种以上发射的。