[实用新型]材料层的制造系统及偏光片的制造系统无效
申请号: | 200820131069.8 | 申请日: | 2008-08-27 |
公开(公告)号: | CN201264979Y | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 赖柏东;郑智鸿;杨昆炫 | 申请(专利权)人: | 达信科技股份有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L29/04;B29C55/18;G02B5/30;B29K29/00;B29K105/32;B29L11/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 材料 制造 系统 偏光 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种材料层的制造系统,尤其是涉及一种适用于偏光片的偏光基体层的制造系统。
背景技术
请参阅图1。图1示出了现有技术的偏光片1的剖面视图。偏光片1包括聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)偏光基体层10、黏着层11、保护层12、感压胶层13、离形膜14及保护膜15。PVA偏光基体层10的制造过程需经过膨润、染色、延伸及干燥等步骤。由于干燥过后的PVA偏光基体层10容易脆化,因此必须通过黏着层11连接保护层12来支撑,以增强PVA偏光基体层10的强度。接下来,贴上保护膜15。最后,涂布感压胶层13与离形膜14以完成整个偏光片1的制造过程。
传统上,PVA偏光基体层10的制作方式分为两种:一种为干式延伸方式,另一种则为湿式延伸方式。关于干式延伸,请参阅台湾专利案号I272409、美国专利案号US20060177606A1及日本专利案号JP-57-212025A与JP-63-261201。其中,日本专利案号JP-57-212025A与及JP-63-261201中披露了通过加热滚轮来执行干式延伸。
湿式延伸方式一般是将膨润后的PVA偏光基体层10浸泡至含有碘、碘化钾以及硼酸的水溶液中染色。染色后的PVA偏光基体层接着经过延伸槽,利用两侧滚轮速度或是张力的差异,将PVA偏光基体层10做延伸拉长。其中,延伸槽内含有碘化钾与交联剂(如硼酸)等相关化学药剂,在温度50~60℃下做延伸。
一般来说,干式延伸的优点是节省药液及PVA偏光基体层10可得到好的穿透率和偏光度。但是,干式延伸的缺点如下:(1)碘容易挥发,导致光学均匀性较差;(2)机台承受张力较大;以及(3)药液容易残留在PVA偏光基体层10上。湿式延伸的优点是PVA偏光基体层10的延展性及光学均匀度较好。然而,湿式延伸的缺点如下:(1)PVA偏光基体层10容易因槽体温度不均而有断膜的风险,造成成本的亏损;以及(2)PVA偏光基体层10在洗净后会有药液残留的问题,导致膜面产生结晶颗粒或是压点。
因此,本实用新型的目的在于提供一种材料层的制造系统,以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的一个目的在于提供一种材料层的制造系统。在根据本实用新型的一个具体实施例中,材料层可以是偏光片的偏光基体层。
该制造系统包括延伸设备,并且延伸设备包括设置于其中的多个喷雾装置以及多个延伸装置。当材料层在延伸设备中输送时,多个喷雾装置用以喷出处理液至材料层的上表面上及相对于上表面的下表面上。之后,多个延伸装置用以依照延伸倍率对材料层执行延伸动作。
根据本实用新型的制造系统,进一步包括洁净设备,该材料层在被施以该延伸动作后输送至该洁净设备中,该洁净设备包括多个第二喷雾装置,用以喷出清洁液至该材料层的该上表面及/或该下表面上以进行清洗。
根据本实用新型的制造系统,其中,每一个第一喷雾装置的喷角的范围介于12~115度。
根据本实用新型的制造系统,其中,每一个第一喷雾装置的喷量的范围介于0.1~47升/分。
根据本实用新型的制造系统,其中,所述第一喷雾装置的安排为每米设置1~10个喷雾装置。
根据本实用新型的制造系统,其中,每一个第一喷雾装置是扇形喷嘴、圆锥形喷嘴或直线形喷嘴。
根据本实用新型的制造系统,其中,该延伸倍率的范围介于1.1~4.0倍。
根据本实用新型的制造系统,其中,该延伸动作的持续时间介于10秒~10分。
根据本实用新型的制造系统,进一步包括:恒温装置,设置于该延伸设备中并用以使该延伸动作保持在预定温度范围下进行。
根据本实用新型的制造系统,其中,在该延伸设备中残留的处理液由该延伸设备的底部承接后导引至回收槽。
根据本实用新型的制造系统,其中,该延伸设备的该底部设置有一斜道连向该回收槽。
根据本实用新型的制造系统,其中,该处理液从该回收槽再度导引至该多个第一喷雾装置。
根据本实用新型的制造系统,其中,该材料层是偏光片的偏光基体层。
本实用新型还提供了一种偏光片的制造系统,用以制备该偏光片的偏光基体层,该制造系统包括延伸设备,所述延伸设备包括:多个第一喷雾装置,设置于该延伸设备中,当该偏光基体层在该延伸设备中输送时,该多个第一喷雾装置用以喷出处理液至该偏光基体层的上表面上及相对于该上表面的下表面上;以及多个延伸装置,设置于该延伸设备中,用以依照延伸倍率对该偏光基体层执行延伸动作。
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