[实用新型]沉积薄膜制程中的晶圆承载装置

权利要求书

1.一种沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，其特征在于，包括：

一反应室(30)；

一加热座(31)，设在所述的反应室(30)内；

一静电吸盘(32)，固定在所述的加热座(31)顶面，用来吸附固定一晶圆(40)；

一沉积环(33)，固定在所述的静电吸盘(32)的外圆周；

一低位护罩(34)，固定在所述的沉积环(33)的外圆周，其具有一向上开口的沟槽(35)，所述的沟槽(35)两侧分别为一第一侧壁(351)以及一第二侧壁(352)；

一高位护罩(36)，固定在所述的反应室(30)的侧壁，其具有一第一侧壁(371)伸入所述的低位护罩(34)的沟槽(35)中，所述的第一侧壁(371)的底端与所述的沟槽(35)的槽底相隔一距离；

复数顶针(38)，固定在所述的反应室(30)底部，可穿过所述的加热座(31)以及所述的静电吸盘(32)周缘的顶针穿孔(311、321)而能接触所述的晶圆(40)的底面。

2.根据权利要求1所述沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，其特征在于：所述的沉积环(33)具有一个朝向所述的低位护罩(34)的沟槽(35)而倾斜的斜面(331)。

3根据权利要求1所述沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，其特征在于：所述的高位护罩(36)，具有一向下开口的沟槽(37)，所述的沟槽(37)两侧分别为上述的第一侧壁(371)以及一第二侧壁(372)。

4.根据权利要求3所述沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，其特征在于：所述的低位护罩(34)的第一侧壁(351)伸入所述的高位护罩(36)的沟槽(37)中。

5.根据权利要求1所述沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，其特征在于：上述加热座(31)与所述的静电吸盘(32)是以接近其圆心的复数个第一组定位元件(45)以及接近其圆周的复数个第二组定位元件(46)固定。