[实用新型]沉积薄膜制程中的晶圆承载装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种使用于沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，所述的晶圆承载装置可以改善电弧放电现象而造成晶圆瑕疵的问题。

背景技术

已知使用于以物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)在晶圆表面沉积一层薄膜的晶圆承载装置，如图1，包括反应室(chamber)10、加热座(heater)11、一静电吸盘(Dummy plate)20，用来吸附一晶圆12、基座护罩(pedestalshield)13、上护罩(top hat shield)14、沉积环(deposition ring)15、底护罩(bottomshield)16、阻隔护罩(barriel shield)17、顶针(lift pin)18。

另一种已知的晶圆承载装置，如图2，包括了上述所有部件，并具一重量夹护罩19(weight clamp)。

已知上述两种晶圆承载装置具有以下问题：

一、发生电弧放电现象(arcing现象)而造成大量的晶圆瑕疵。

基座护罩13与阻隔护罩17太靠近，两者的一发生变形即会接触发生电弧放电现象(arcing现象)。

上护罩14在基座护罩13与重量夹护罩19之间，彼此太靠近，三者的一发生变形即会接触发生电弧放电现象(arcing现象)。

基座护罩13在多数次的使用的后发生上翘变形的情形，其上表面所沉积的薄膜(film)就容易高过晶圆20的平面，增加与晶圆20接触的机会，发生电弧放电现象(arcing现象)。

上护罩14与底护罩16的组合不稳定，容易发生接触，发生电弧放电现象(arcing现象)。

重量夹护罩19与顶针18太过接近，发生电弧放电现象(arcing现象)。

二、反应室内壁(chamber wall)容易被喷溅镀膜。

三、静电吸盘12不当旋转。

静电吸盘12的边缘设有供顶针18穿过的孔，孔缘与顶针在正常情况下不应发生接触。但是当静电吸盘12未被有效固定在加热座11，且加热座11的升降动作造成静电吸盘12的旋转能量，将使静电吸盘12产生微度的旋转，而使顶针18摩擦或撞击上述的孔。顶针为金属材质，一旦与静电吸盘12的孔缘发生摩擦或撞击，即会产生电弧放电现象(arcing)。

顶针18的导通现象会在其与晶圆20背面接触时，在晶圆20的背面边缘产生半圆形或圆形小白点，吾等称的为电弧效应点(arcing spot)。具有arcing spot的晶圆在后续化学机械研磨(CMP)制程时会发生破裂的问题。

除了电弧放电现象(arcing)问题之外，静电吸盘12转动更可能使其被顶针18插到而脱离加热座(heater)11，甚至发生晶圆破片、校正中心点不准、顶针弯曲等多种问题。

发明内容

本实用新型的目的是在提出一种沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，所述的装置可有效改善电弧放电现象的发生，减少晶圆瑕疵。

本实用新型的目的是在提出一种沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，所述的装置可有效改善反应室内壁(chamber wall)被喷溅的问题。

本实用新型的目的是在提出一种沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，所述的装置使静电吸盘被有效固定而不发生旋转，从而使电弧放电效应、晶圆背面的电弧效应点(arcing spot)、顶针18使静电吸盘脱离加热座、晶圆破片、校正中心点不准、顶针弯曲、折断等多种问题一并获得改善以及解决。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，其特征在于，包括：

一反应室；

一加热座，设在所述的反应室内；

一静电吸盘，固定在所述的加热座顶面，用来吸附固定一晶圆；

一沉积环，固定在所述的静电吸盘的外圆周；

一低位护罩，固定在所述的沉积环的外圆周，其具有一向上开口的沟槽，所述的沟槽两侧分别为一第一侧壁以及一第二侧壁；

一高位护罩，固定在所述的反应室的侧壁，其具有一第一侧壁伸入所述的低位护罩的沟槽中，所述的第一侧壁的底端与所述的沟槽的槽底相隔一距离；

复数顶针，固定在所述的反应室底部，可穿过所述的加热座以及所述的静电吸盘周缘的顶针穿孔而能接触所述的晶圆的底面。

与现有技术相比较，采用上述技术方案的本实用新型具有的优点在于：

一、件数少，安装容易。