[实用新型]散热接口模组

说明书

技术领域

本实用新型涉及散热接口模组，供封装芯片、发光二极管等表面封装于电绝缘层与金属电路上，或被部份埋入电绝缘层中并与底部金属散热座接触的封装，封装芯片、发光二极体等各式发光二极体，它的作用是被用来取代传统电路基座、散热膏及局部或全部的散热机构的功能，使发光二极体于工作时产生的废热能够直接透过该高散热接口模组传导出去，而达到高散热效率之目的。

背景技术

随着芯片、发光二极管或各式电子组件功率的不断提高，其产生之工作废热量亦相对成正比增加，当工作废热量增加而工作废热量的排放未等量提高时，将造成芯片、发光二极管或各式电子组件温度上升，使其工作效率降低，甚至产生损坏。纵观目前散热器、热管和风扇等散热方式，例如芯片或各式电子组件通过散热胶与散热器的接触，使电器组件的热量传导到散热器，再由风扇排出。但实际使用显示，目前的散热方式仍存在如下三项缺点：

1)芯片、发光二极管或各式电子组件，存在绝缘封装用的高热阻高分子材料结构，造成封装层的热堵塞堆积的问题；

2)电子组件安装在高热阻绝缘的高分子材料基板上，造成电路基板的热堵塞问题；

3)使用散热胶于各结构层间，因散热胶接口存在气泡及结构缺陷等，造成各结构层间的热堵塞问题。

因此，目前常见是以提高散热器鳍片面积或提高风扇转速为改善上述散热缺点的方法，但是，不论提高散热器鳍片面积或提高风扇转速，均未能解决实质问题。

目前，在克服上述散热问题的发展上有几种方式：

技术一，如日本专利JP2004-200347所描述，公开了以金刚石与金属材料为导电混合物，作为发光二极管p极与n极间积层构造的导电散热层，然该技术只改善发光二极管内部的散热结构，对于发光二极管外部之高热阻绝缘封装层的热堵塞堆积状况，亦未能有效解决。

技术二，如日本专利JP平5-347369所描述，公开了一种以金刚石细颗粒混合环氧树脂或珪酸酯，作为电子组件的散热绝缘封装层之技术，该技术改善了发光二极管的上部封装层散热问题，但对于下部高热阻绝缘电路板与散热胶接口缺陷的问题，也未能提供解决方法，另外该技术使用金刚石细颗粒混合环氧树脂、石英微粒或氧化铝微粒组成其电子组件的散热绝缘封装层，其在材料抗张特性上未能满足长期因温度变化所造成之伸缩破坏的要求。

技术三，如中国专利CN1545148所描述，公开了一种将该大功率发光二极管贴装在金刚石基板上的散热结构技术，然该技术使用多层散热胶于各结构层间，以期达成热传导目的。实际实施使用时却显示，每增加一接口会因增加气泡、杂质、材料缺陷等因素造成热阻的提高，因此上述新型在降低热阻信道、降低导热结构复杂度、接口数量与确保散热胶接口气泡等项目，均仍未合理解决热传导的整体性问题。

发明内容

本实用新型的目的，在于提供一种散热接口模组，以解决各结构层间所产生的阻热状态，达到将各式发光二极管工作时所产生之废热量的导出和排放。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的。

散热接口模组，主要包括：在一金属基座之吸热端表面上局部或全部设有一高导热电绝缘层，并在该高导热电绝缘层上制作金属电路；在该散热接口模组的金属电路上供芯片、发光二极管等类型的各式发光二极管进行直接安装。该发光二极管被表面封装于电绝缘层与金属电路上，或部份埋入电绝缘层中并与底部金属散热层接触封装。因此，本实用新型散热接口模组的设计，使该芯片、发光二极管等各式发光二极管不须再封装于具有高阻热特性之传统电路基板上，同时利用高导热电绝缘层之高导热率，以及各层结构间不使用散热膏，使芯片、发光二极管等各式发光二极管产生之废热能够直接透过散热接口模组快速传导出去，以解决排热堵塞堆积于封装等区域的散热问题。

较佳为，该金属基座为至少一层或一层以上不含任何绝缘材料的的结构体。

较佳为，该金属基座为一单层结构体，其材质系选自铜或铝材质中的一种。

较佳为，该金属基座包括第一结构层及第二结构层，该第一结构层系选自铜或铝材质中的一种，该第二结构层系选自碳化硅、硅、钼或钛材质中的一种。

较佳为，该高导热率电绝缘层系在蒸镀、溅镀、镶焊、压模、注射、网印、烧结或喷涂中选择其一种方式积层制作而成。该高导热率电绝缘层之材质系选自金刚石、氮化铝、碳化硅、类钻碳或纳米金刚石、或上述材料与粉末混合高分子材料中至少一种材料。