[实用新型]自振荡半桥电路装置、包括该装置的镇流器和灯无效
申请号: | 200820140313.7 | 申请日: | 2008-10-10 |
公开(公告)号: | CN201491352U | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 高炜 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆有限公司 |
主分类号: | H05B41/24 | 分类号: | H05B41/24;H05B37/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;高少蔚 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 振荡 电路 装置 包括 镇流器 | ||
1.一种自振荡半桥电路装置,包括开关单元(Q1,Q2)、驱动单元(T1a,T2c,T2b)以及隔直电容(C1),其中
所述开关单元包括第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2),所述第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)串联连接形成半桥,其中第一三极管(Q1)的发射极与第二三极管(Q2)的集电极耦接,第一三极管(Q1)的集电极耦接到自振荡半桥电路装置的供电电源(VDC),第二三极管(Q2)的发射极耦接到自振荡半桥电路装置的第二输出节点(N);
所述驱动单元包括气隙变压器,所述气隙变压器包括初级绕组(T1a),第一次级绕组(T2c)和第二次级绕组(T2b),其中,所述初级绕组(T1a)的同名端与第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)之间的连接点(A)耦接,另一端与隔直电容(C1)的一端耦接;所述第一次级绕组(T2c)的同名端耦接于第一三极管(Q1)的基极,另一端耦接于第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)之间的连接点(A);所述第二次级绕组(T2b)的同名端耦接于所述第二输出节点(N),另一端耦接于第二三极管(Q2)的基极;以及
所述隔直电容(C1)的另一端与自振荡半桥电路装置的第一输出节点(M)耦接。
2.根据权利要求1所述的自振荡半桥电路装置,其中,所述气隙变压器的电感量的公差为+/-3%。
3.根据权利要求1或2所述的半桥电路,其中,所述气隙变压器的初级绕组(T1a)、第一次级绕组(T2c)和第二次级绕组(T2b)的圈数比为12∶18∶18,其电感量为8μH。
4.一种具有如权利要求1-3中任一项所述的自振荡半桥电路装置的镇流器,其中,扼流电感单元(L1)耦接在所述自振荡半桥电路装置的气隙变压器的初级绕组(T1a)的另一端和隔直电容(C1)之间,用于镇流器的负载的点火电容(C2)耦接在自振荡半桥电路装置的第一输出节点(M)和第二输出节点(N)之间。
5.一种电子变压器,包括用于控制负载的操作的驱动单元,其中所述驱动单元具有如权利要求1-3中任一项所述的自振荡半桥电路装置。
6.一种LED驱动设备,包括用于控制作为负载的LED的操作的驱动单元,其中所述驱动单元具有如权利要求1-3中任一项所述的自振荡半桥电路装置。
7.一种灯,包括:
发光单元;和
如权利要求4所述的镇流器,该镇流器用于控制所述发光单元的操作。
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