[实用新型]自振荡半桥电路装置、包括该装置的镇流器和灯

说明书

技术领域

本实用新型一般地涉及变压器驱动的振荡器的电路领域，更具体地，涉及变压器驱动的自振荡半桥电路，以及使用该自振荡半桥电路的镇流器及灯。

背景技术

自振荡半桥电路广泛用于照明等应用领域。在现有技术中，自振荡半桥电路中的驱动单元使用的是磁环变压器。由于磁环变压器的各项参数的公差很大，例如，磁环变压器电感量的公差在现有的技术条件下只能达到+/-25％的水平，由此会对使用该变压器驱动的自振荡半桥电路的工作频率带来不利的影响，使其工作频率的数值很难控制在一定的范围内，从而会进一步导致应用该自振荡半桥电路的最终产品的工作频率差异很大。例如，在将这种自振荡半桥电路应用于镇流器时，所生产出来的镇流器在工作频率上的一致性较差，造成大量不符合工作频率范围需求的镇流器报废，由此造成大量的人力和财力的浪费。此外，磁环变压器的另一个缺点是抗磁饱和能力差，一点微小的直流成分就会引起磁环变压器的工作不正常。众所周知，无论是变压器、使用变压器的自振荡半桥电路还是使用自振荡半桥电路的镇流器往往都是应在各种电网中，电网中存在各种用电设备，而这些用电设备并非是纯电阻特性，故电网波形已被污染，会使变压器磁芯中达到磁饱和，产生磁辐射干扰。由此，在使用磁环变压器驱动自振荡半桥电路时，这种磁辐射干扰会影响自振荡半桥电路的工作性能。

实用新型内容

鉴于现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种使用气隙变压器驱动的自振荡半桥电路装置，以及提供了具有该自振荡半桥电路装置的镇流器及灯。

根据本实用新型的一个方面，提供一种自振荡半桥电路装置，包括开关单元、驱动单元以及隔直电容，其中：

所述开关单元包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管和第二三极管串联连接形成半桥，其中第一三极管的发射极与第二三极管的集电极耦接，第一三极管的集电极耦接到自振荡半桥电路装置的供电电源，第二三极管的发射极耦接到自振荡半桥电路装置的第二输出节点；

所述驱动单元包括气隙变压器，所述气隙变压器包括初级绕组，第一次级绕组和第二次级绕组，其中，所述初级绕组的同名端与第一三极管和第二三极管之间的连接点耦接，另一端与隔直电容的一端耦接；所述第一次级绕组的同名端耦接于第一三极管的基极，另一端耦接于第一三极管和第二三极管之间的连接点；所述第二次级绕组的同名端耦接于所述第二输出节点，另一端耦接于第二三极管的基极；以及

所述隔直电容的另一端与自振荡半桥电路装置的第一输出节点耦接。

本实用新型还提供了一种具有上述自振荡半桥电路装置的镇流器、电子变压器、LED驱动装置，以及利用该镇流器的灯。

本实用新型的由气隙变压器驱动的自振荡半桥电路装置可实现以下技术益处：避免了现有技术中磁环变压器磁芯具有高的电感量公差的缺陷，相应地提高了自振荡半桥电路装置的工作频率的一致性，提高了自振荡半桥电路装置的生产效率，减少了浪费。当将本实用新型的自振荡半桥电路装置应用于镇流器中时，更好地满足了镇流器对半桥电路的温度要求，给镇流器的设计带来更大的设计自由度。

附图说明

通过结合附图对本实用新型的具体实施方式的描述，可以清楚本实用新型的以上的和其它目的、特点和优点。在各附图中，相同的附图标记表示相同的功能部件。在附图中：

图1示出了使用根据本实用新型一个实施例的自振荡半桥电路装置的镇流器的电路简图；

图2A和图2B是分别示出了现有技术中包括由磁环变压器驱动的自振荡半桥电路的镇流器和包括由根据本实用新型的带有气隙的变压器驱动的自振荡半桥电路装置的镇流器的电流波形的示意图。

具体实施方式