[实用新型]超级电容器直流电源装置无效
申请号: | 200820146475.1 | 申请日: | 2008-08-15 |
公开(公告)号: | CN201252422Y | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 张鹏程 | 申请(专利权)人: | 深圳市同洲电子股份有限公司 |
主分类号: | H02J15/00 | 分类号: | H02J15/00 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 518000广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超级 电容器 直流电源 装置 | ||
1、一种超级电容器直流电源装置,其特征在于,包括:
一个或多个并联连接的超级电容器(110);
用于将超级电容器(110)的输出电压作升压处理至设定电压值的升压处理电路(130);
用于检测超级电容器(110)的输出电压,当超级电容器(110)的输出电压不小于设定的阈值时,控制连通第一通道并输出电压,否则控制连通第二通道并使超级电容器(110)的输出电压经升压处理电路(130)作升压处理后从第二通道输出的控制切换电路(140),其连接超级电容器(110)和升压处理电路(130)。
2、如权利要求1所述的超级电容器直流电源装置,其特征在于,还包括:用于利用输入的直流电源为超级电容器充电的充电电路(120),其输出端连接超级电容器(110);
所述充电电路(120)包括:
串接在输入的直流电源与地之间的两个电阻器(R6、R7);
与电阻器(R7)反相并接的稳压管(D1);
基极连接两个电阻器(R6、R7)的公共端,发射极连接超级电容器(110),集电极连接输入的直流电源的晶体管(Q6),该晶体管(Q6)的发射极串接电容器(C4)之后接地。
3、如权利要求1所述的超级电容器直流电源装置,其特征在于,所述升压处理电路(130)包括:DC-DC转换器(101),其使能控制端通过电阻器(R1)连接超级电容器(110),输入端连接超级电容器(110),设置端通过电感器(L1)连接超级电容器(110),且设置端还通过升压二极管(D4)与设定的阈值相等的电压连接,而输出端连接用于调节输出电压的两个串接电阻器(R2、R3)后接地,反馈端连接在两个串接电阻器(R2、R3)的公共端。
4、如权利要求3所述的超级电容器直流电源装置,其特征在于,所述升压处理电路(130)还包括:连接在DC-DC转换器(101)的输出端与地之间的滤波电容器(C3)。
5、如权利要求1所述的超级电容器直流电源装置,其特征在于,所述控制切换电路(140)包括:第一通道;第二通道以及用于检测超级电容器(110)的输出电压不小于设定的阈值时,输出端输出高电平控制连通第一通道,否则输出端输出低电平控制连通第二通道的电压检测器(102),其检测端连接超级电容器(110),而输出端连接第一通道和第二通道。
6、如权利要求5所述的超级电容器直流电源装置,其特征在于,所述第一通道包括:
漏极对接的两个晶体管(Q3、Q4),且晶体管(Q3)的源极连接超级电容器(110);
栅极连接电压检测器(102)的输出端,源极接地,漏极同时连接两个晶体管(Q3、Q4)的栅极的晶体管(Q5)。
7、如权利要求6所述的超级电容器直流电源装置,其特征在于,所述晶体管(Q3、Q4)为PMOS晶体管,而晶体管(Q5)为NMOS晶体管。
8、如权利要求5所述的超级电容器直流电源装置,其特征在于,所述第二通道包括:漏极对接且栅极同时连接至电压检测器(102)的输出端的两个晶体管(Q1、Q2);其中,晶体管(Q1)的源极与栅极之间连接电阻器(R4),且晶体管(Q1)的源极连接至升压处理电路(130)的输出端,晶体管(Q2)的源极连接第一通道中晶体管(Q4)的源极和电源电压输出端(VCC)。
9、如权利要求8所述的超级电容器直流电源装置,其特征在于,所述晶体管(Q1、Q2)为PMOS晶体管。
10、如权利要求1至9任意一项所述的超级电容器直流电源装置,其特征在于,所述设定的阈值为3.5V。
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