[实用新型]光电二极管阵列器件

权利要求书

1、一种光电二极管阵列器件，其特征在于，包括：陶瓷底座(1)、由N个PIN光电二极管芯片(2)直线阵列形成的光电二极管芯片组、金锡焊料环(3)和玻璃盖板(4)，所述光电二极管芯片组(2)位于陶瓷底座(1)空腔的底部，光电二极管芯片背面镀金锡，光电二极管芯片和陶瓷底座(1)之间的连接通过金锡焊料片键合，并通过烧结工艺固定，密封时将金锡焊料环(3)置于陶瓷底座(1)与玻璃盖板(4)之间，将陶瓷底座(1)的上缘、金锡焊料环(3)和玻璃盖板(4)的边沿对齐，然后放到高温炉中烧结形成气密封。

2、根据权利要求1所述的光电二极管阵列器件，其特征在于，所述玻璃盖板(4)的上表面(41)分为两个区域：上表面第一区域(4101)镀遮光膜，上表面第二区域为直线阵列的N个圆形光窗(4102)，每个圆形光窗与光电二极管芯片(2)一一对应，圆形光窗的中心和光电二极管芯片(2)的光敏面中心同轴，该圆形光窗(4102)表面区域不镀膜；所述玻璃盖板(4)的下表面(42)分为两个区域：玻璃盖板(4)与金锡焊料环(3)相接触的周边表面区域(4201)镀金锡；其余中心表面区域(4202)镀增透膜；

3、根据权利要求1所述的的光电二极管阵列器件，其特征在于，所述玻璃盖板(4)的上表面不镀膜；所述玻璃盖板(4)的下表面(43)分为三个镀膜区域：第一，玻璃盖板(4)的下表面(43)与金锡焊料环(3)相接触的周边表面区域(4301)镀金锡；第二，与光电二极管芯片(2)呈一一对应的圆形光窗(4303)，圆形光窗(4303)的中心与光电二极管芯片(2)的光敏面的中心同轴，圆形光窗表面区域均镀增透膜；第三，其余表面区域(4302)镀遮光膜。

4、根据权利要求2或3所述的光电二极管阵列器件，其特征在于，所述光电二极管芯片(2)的数量N可以是2以上的整数。

5、根据权利要求4所述的光电二极管阵列器件，其特征在于，所述PIN光电二极管芯片(2)的尺寸为400um×400um×200um，光敏面直径为300um，芯片阵列时中心间距为0.75mm。