[实用新型]沉积室遮挡装置及相应的沉积室壁

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造装置，特别是涉及一种沉积室壁的结构。

背景技术

沉积室为许多半导体工艺提供了反应环境，例如：离子刻蚀、物理气相沉积(PVD)及化学气相沉积(CVD)等。然而，无论何种反应都会对沉积室壁造成污染，而对以后的反应造成不良影响，为此，需要对沉积室进行预防保养(PM)。

以离子刻蚀工艺为例，每次刻蚀之后，沉积室壁上都会沉积许多聚合物；故需要定期对沉积室壁进行清理，即预防保养。然而沉积室壁无法拆卸，其内表面并不平整，为清理过程带来了很多不便，所以每次预防保养都要花费很长时间。而某些工艺流程(如自对准连接(Self Alignment Contact)工艺)达到一定的时数，将会在沉积室壁上形成很厚的聚合物，单纯的擦拭无法清理干净，于是便要采用刮沉积室壁的手段来实现清理。但是，刮下的聚合物会到处乱飞，一旦落入沉积室的角落，将很难清理到，而这样的环境可能会导致集成电路缺陷等问题的出现。

例如，图1便示出了现有的一种沉积室的部分截面示意图。此示例性的沉积室包括盖组件100、侧壁200以及底座(图中未示)，以界定出一个与外界隔离的反应空间300。而反应空间300内便设置有反应所需的极板、靶以及晶片支撑装置等。例如，图中示出了支撑装置400和上极板500等，其中支撑装置400用以置放晶片并通过弹簧(或螺柱)600等装置安装于底座上，以调整晶片于反应空间300的高度。在对晶片的处理过程中，部分聚合物便沉积在侧壁200上，而侧壁200通常并非简单的直筒状设计，其内表面往往设计有向内突出的部分201，而且为了便于检测沉积室内的反应情况，也往往在侧壁200上开设检测窗口203等端口，这些都为侧壁200的清理带来了不便，而侧壁200又无法拆卸，使得每次预防保养都需要花费很长的时间，降低了设备保养的效率。同时，当聚合物沉积到需要刮掉的程度时，刮下的聚合物将会到处乱飞，落在角落处的聚合物得不到清理时，将会影响到沉积室内所进行的反应，从而导致集成电路缺陷等问题的出现。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是通过一种可拆卸的结构来方便沉积室壁的清理，减少其清理时间，提高预防保养的效率。

为解决以上技术问题，本实用新型提供一种沉积室遮挡装置，包括：第一环状部与第二环状部，其中第一环状部的外径大于第二环状部的外径。

进一步的，第一环状部的内径等于第二环状部的内径。

进一步的，第一环状部与第二环状部为一体成型。

本实用新型另提供一种沉积室壁，包括：固定壁，包括：第一环状部与第二环状部，且第一环状部的内径大于第二环状部的内径；遮挡壁，包括：第三环状部与第四环状部，且第三环状部的外径大于第四环状部的外径；其中遮挡壁的第四环状部嵌入固定壁的第二环状部所确定的反应空间内。

进一步的，第三环状部的外表面与第一环状部的内表面相贴合；且第四环状部的外表面与第二环状部的内表面相贴合。

进一步的，第一环状部与第二环状部的内径之差等于第三环状部与第四环状部的外径之差。

进一步的，第三环状部的内径等于第四环状部的内径。

综上所述，以上的沉积室遮挡装置的外表面形状是根据现有沉积室内壁形状而设计，将其置入沉积室内，使其内表面直接与反应空间相接触，从而使沉积室内反应所产生的聚合物大部分沉积在遮挡装置内表面上。这样，每次预防保养时，可以仅将遮挡装置取出更换，由于此时沉积室内壁沉积的聚合物很少，对其清理过程简单，无需进行刮内壁的操作，因此避免了聚合物的乱飞现象，减少了预防保养的时间并降低了集成电路缺陷等问题的出现几率。

另外，根据以上理念改造后的沉积室壁由固定壁和遮挡壁组成，且遮挡壁的外表面与固定壁的内表面尺寸相应，便于组装与拆洗，减少了预防保养的时间；另外由遮挡壁的内表面与反应空间直接接触，而将刮掉聚合物的操作移至沉积室外进行，降低了集成电路缺陷等问题的出现几率。

附图说明

图1为现有的一种沉积室的部分截面示意图；

图2为图1中侧壁的部分截面示意图；

图3为本实用新型一实施例所提供的沉积室遮挡装置的截面示意图；

图4为图3中的沉积室遮挡装置放入沉积室的截面示意图；

图5为本实用新型一实施例所提供的沉积室的部分截面示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的技术特征更明显易懂，下面结合附图与实施例，对本发明做进一步的描述。