[实用新型]多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构无效

专利信息
申请号: 200820152971.8 申请日: 2008-09-11
公开(公告)号: CN201201902Y 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 史珺;宗伟峰 申请(专利权)人: 上海普罗新能源有限公司
主分类号: C01B33/02 分类号: C01B33/02;C01B33/037
代理公司: 北京必浩得专利代理事务所 代理人: 李梦福
地址: 201300上海市南*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 多晶 提纯 铸锭 泄漏 防护 机构
【权利要求书】:

1.一种多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构,包括坩埚和平台,坩埚设于平台上面,其特征在于:在平台的上表面,从平台中心沿径向向外,开设有数条径向导流槽;围绕平台中心开设有数条纬向导流槽,径向导流槽和纬向导流槽相交成网状结构;在最外圈的纬向导流槽的边缘,开设有一个或多个导流口,从坩埚流到平台上的硅液由此处流走;平台底部的周边设有倒角,倒角可防止硅液流向平台底面;一环形凝固槽,其内周设于平台的下面倒角的里面,其外周延伸到平台的外面,从导流槽流出硅液,无论是否从导流口流出,均应能直接流入该凝固槽内,从倒角滴下的硅液也能够落入凝固槽内。

2.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构,其特征在于:所述径向导流槽的数量为4~24个。

3.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构,其特征在于:所述纬向导流槽的间距,可以是等间距或不等间距;纬向导流槽的走向形状与平台周边的形状相似;纬向导流槽的数量为1个到8个之间。

4.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构,其特征在于:所述径向导流槽和纬向导流槽的深度深度和宽度为5mm到40mm之间,导流槽的截面形状为向上开口的半圆、V形、方形。

5.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构,其特征在于:所述径向导流槽从中心向外越来越深,纬向导流槽的深度跟与其相交的径向导流槽的深度相同。

6.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构,其特征在于:所述凝固槽的厚度,以坩埚内所有硅液全部泄漏时能将硅液吸收为限;所述凝固槽的容量以能够装下坩埚内全部的硅液为限。

7.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构,其特征在于:所述凝固槽的周边,以及各个导流口的下部,分别设有硅液传感器,该硅液传感器为线状传感器。

8.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构,其特征在于:所述平台的材料由高温耐火材料组成,可以是石墨、石英、钨钼合金。

9.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护机构,其特征在于:所述凝固槽由耐火材料组成,该耐火材料由高铝或碳纤材料构成。

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