[实用新型]多晶粒反罩吸风模无效
申请号: | 200820161403.4 | 申请日: | 2008-09-28 |
公开(公告)号: | CN201307583Y | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 吕全亚;陈海林 | 申请(专利权)人: | 常州新区佳讯电子器材有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 常州市天龙专利事务所有限公司 | 代理人: | 周建观 |
地址: | 213022江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 粒反罩吸风模 | ||
技术领域
本实用新型属于电子元器件加工过程中使用的工具装备,更确切地说是涉及二极管制造中晶粒排列用的专用模具。
背景技术
二极管制造过程数多工序中,第一道工序是将硅片裂片后的、极其细微的晶粒,需按正、负极朝向排列在上千个孔位的多晶粒吸风模中;一般是盖上吸风罩,摇动多晶粒吸风模,使吸风罩上正、负极朝向一致的晶粒吸入到晶粒槽中;排列后多余的晶粒随着吸风罩打开,会散落在多晶粒吸风模外,此时晶粒的正、负极朝向被打乱,为了让这些晶粒被再利用,需要由人工将其挑选并翻转成相同的朝向,这将耗费大量人力。
晶粒价格昂贵,散落的晶粒需要再利用;目前劳动力的价格也不断上涨,为了降低二极管的制造成本,必须寻找到改进多晶粒吸风模方案,使多余的晶粒在吸风罩打开后,不会散落在多晶粒吸风模外,同时晶粒的正、负极朝向也不会打乱,在下一次晶粒排列时,晶粒能方便地被利用。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种在二极管制造即排列多晶粒时,多余的晶粒不会散落在多晶粒吸风模外,其正、负极朝向也不会打乱,在下一次多晶粒排列时再利用。
为了达到上述目的,本实用新型的技术方案是:一种多晶粒反罩吸风模,包括吸风罩和吸风模座,吸风罩罩在吸风模座上;吸风模座包括料斗盖、吸盘和吸风模底座;料斗盖安装在吸盘的尾端上,吸盘安装在吸风模底座上,吸盘与吸风模底座之间有一空腔,吸盘的一端置有一吸风孔,吸风孔与空腔相通;吸盘上布有晶粒槽,晶粒槽槽底通过通孔与空腔相通,料斗盖与吸盘之间有一料腔;吸风罩与吸盘之间留有吸风腔,吸风腔与料腔连通。
上述料斗盖的尾端和两侧均有凸沿。
吸风罩与吸盘均设有止口,吸风罩为阳止口,吸盘为阴止口,吸风罩的阳止口与吸盘的阴止口相配合。
吸风罩两端设有定位销,所述吸盘上设有与定位销相配合的定位孔。
料斗盖与吸盘采用螺钉连接;吸风模底座与吸盘采用螺钉连接。
本实用新型由于采用了料斗式多晶粒反罩吸风模,由于料腔和吸风腔的空间高度小于晶粒边长,即晶粒翻转高度;晶粒排列操作时,晶粒的正、负极朝向不会因模具翻转而打乱;而且在排列操作完成后,多余的晶粒以相同的正负极朝向落入料腔中,不会散落在多晶粒吸风模外,方便地供给多晶粒吸风模下一次排列用。
附图说明
以下结合附图给出的实施例对本实用新型作进一步详细地说明。
图1是本实用新型的立体示意图;
图2是本实用新型的俯视示意图;
图3是图2的A—A剖面放大示意图;
图4是图3中B孔放大示意图。
具体实施方式
如图1是本实施例的立体示意图。
一种多晶粒反罩吸风模,包括吸风罩1和吸风模座2,吸风罩1罩在吸风模座2上;吸风模座2包括料斗盖2-1、吸盘2-2和吸风模底座2-3;料斗盖2-1安装在吸盘2-2的尾端上,吸盘2-2安装在吸风模底座2-3上。
如图2是本实用新型的俯视示意图;图3是图2的A—A剖面放大示意图;图4是图3中B孔放大示意图。
吸盘2-2与吸风模底座2-3之间有一空腔5,吸盘2-2的一端置有一吸风孔4,吸风孔4与空腔5相通;吸盘2-2上布有晶粒槽6,晶粒槽6槽底通过通孔7与空腔5相通,料斗盖2-1与吸盘2-2之间有一料腔9,吸风罩1与吸盘2-2之间留有吸风腔10,吸风腔10与料腔9连通;吸风腔10与料腔9的高度小于晶粒边长,即晶粒翻转高度。
料斗盖2-1的尾端和两侧均有凸沿8。
吸风罩1与吸盘2-2均设有止口11,吸风罩1的阳止口与吸盘2-2的阴止口相配合。
吸风罩1两端设有定位销3,吸盘2-2上设有与定位销3相配合的定位孔。
料斗盖2-1与吸盘2-2采用螺钉连接;吸风模底座2-3与吸盘2-2采用螺钉连接。
本实施例的操作步骤为:先将裂片后具有统一朝向的晶粒铺在吸风罩1上,将吸风模座2以定位销3为基准合盖在吸风罩1上,翻转多晶粒反罩吸风模,打开吸风嘴4并抽气,同时摇晃多晶粒反罩吸风模,使晶粒落入各晶粒槽6,然后将多余的晶粒倒入料斗盖2-1与吸盘2-2间形成的料腔9中;停止摇晃多晶粒反罩吸风模并关闭吸风嘴4,停止抽气,取走吸风罩1,则晶粒整齐排列在吸风模座2的晶粒槽6中,料腔`中的多晶硅晶粒供给多晶硅吸风模下一次排列用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州新区佳讯电子器材有限公司,未经常州新区佳讯电子器材有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820161403.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:复合保温多孔砖
- 下一篇:ADSL信号处理设备用电缆组件连接器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造