[实用新型]一种源跟随器及其工艺结构，及共模电平平移电路

权利要求书

1.一种源跟随器包括一NMOS晶体管和电流源，其特征在于所述的NMOS的栅极作为输入端，漏极连接电源，源极连接电流源，电流源接地，NMOS的衬底和NMOS源极短接。

2.一种如权利要求1所述的源跟随器的工艺结构，包括P衬底、P阱、P扩散以及N扩散，其特征在于采用独立的N阱、N埋层、P埋层将P衬底同P扩散隔离开，实现NMOS的P阱电位和源极的连接。

3.如权利要求2所述的源跟随器的工艺结构，其特征在于采用BiCMOS工艺。

4.采用如权利要求1所述的源跟随器的一种共模电平平移电路，其特征在于NMOS管M0的栅极作为共模电平平移电路的输入，NMOS管M0的源极接地，NMOS管M0的漏极连接NMOSM1的栅极以及PMOS晶体管M4的漏极，PMOS晶体管M4的源极连接电源，NMOS晶体管M1、NMOS管M2的漏极连接电源，NMOS管M1的源极连接电流源，电流源接地，NMOS管M1衬底和NMOS管M1的源极短接，NMOS管M2的栅极连接NMOS管M1的源极，NMOS管M2的衬底和NMOS管M2的源极短接，NMOS管M2的源极连接NMOS管M3的漏极作为共模电平平移电路的输出Vout1，NMOS管M3的源极接地，PMOS管M4和NMOS管M3的栅极接固定偏置。