[实用新型]一种源跟随器及其工艺结构，及共模电平平移电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及器件的电路及其工艺结构，尤其是源跟随器电路及其工艺结构。

背景技术

如图1所示传统的NMOS的源跟随器，NMOS的衬底接地。在有些需要低压供电，或者对信号摆幅有要求的电路中，需要源随的源漏电压V_GS尽量的小，如图4所示的采用传统的源跟随器的共模电平平移电路，其中，VDD为共模电平平移电路的电源电压，Vin1为共模电平平移电路的输入，Vout1为共模电平平移电路的输出，V_GS1、V_GS2分别是晶体管M1，M2的源漏电压，V_GS4为M4的源漏电压，V_thp为PMOS管M4阈值电压，(|V_GS4|-|V_thp|)为晶体管M4的过驱动电压

Vin|_min＝Vout1|_min+V_GS2+V_GS1

Vin|_Max＝VDD-(|V_GS4|-|V_thp|)

因为两个源随NMOS体效应关系，晶体管M1，M2的源漏电压V_GS1、V_GS2会比较大，比如通常情况下达到1.1V左右，假设Vout1|_min为200mV，那么Vin|_min为2.4V，如果(|V_GS4|-|V_thp|)晶体管M4的过驱动电压为200mV，则Vin|_Max为VDD-0.2V左右，电路要求Vin的摆幅要到500mV，则VDD最小要3.1V，这样芯片给出的VDD最低电压为2.7-2.8V要求不能达到，并且体效应会引入非线性，小信号增益也会偏小。

发明内容

本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种减小体效应，减小源漏电压V_GS的源跟随器，该源跟随器适合低电压工作。

本实用新型还提供一种采用双阱BiCMOS工艺源跟随器的工艺结构。

一种源跟随器包括一NMOS晶体管和电流源，其特征在于所述的NMOS的栅极作为输入端，漏极连接电源，源极连接电流源，电流源接地，NMOS的衬底和NMOS源极短接。

一种源跟随器的工艺结构，包括P衬底、P阱、P扩散以及N扩散，其特征在于采用独立的N阱、N埋层、P埋层将P衬底同P扩散隔离开，实现NMOS的P阱电位和源极的连接。

如上所述的源跟随器采用BiCMOS工艺。

源跟随器应用于遥控车检波模块的共模电平平移电路，其特征在于NMOS管M0的栅极作为共模电平平移电路的输入，M0的源极接地，M0的漏极连接NMOS M1的栅极以及PMOS M4的漏极，M4的源极连接电源，NMOS晶体管M1、M2的漏极连接电源，M1的源极连接电流源，电流源接地，M1衬底和M1的源极短接，M2的栅极连接M1的源极，M2的衬底和M2的源极短接，M2的源极连接NMOS管M3的漏极作为共模电平平移电路的输出Vout1，M3的源极接地，M4和M3的栅极接固定偏置。

Vin|_min＝Vout1|_min+V_GS1+V_GS2

Vin|_Max＝VDD-(|V_GS4|-|V_thp|)

其中，Vin1为共模电平平移电路的输入，Vin|_min和Vin|_Max分别表示Vin的最低电压和最高点压，Vout1为共模电平平移电路的输出，Vout1|_min为输出Vout1的最小电压，V_GS1、V_GS2分别是M1，M2的源漏电压，VDD为电源电压，V_GS4为M4的源漏电压，V_thp为阈值电压，(|V_GS4|-|V_thp|)为晶体管M4的过驱动电压，。