[实用新型]一种偏压式等离子源以及包含其的等离子处理机构无效

专利信息
申请号: 200820176675.1 申请日: 2008-11-10
公开(公告)号: CN201294215Y 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 林伟德;罗顺远;刘家齐;吕练勤;蔡振源;詹信义;陈照奕;吴祐安 申请(专利权)人: 富临科技工程股份有限公司
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08;H01J37/32;H01L21/00;H05H1/46
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 偏压 离子源 以及 包含 等离子 处理 机构
【权利要求书】:

1、一种偏压式等离子源,其特征在于包括:

一支撑体;

一电极盘,系配置于该支撑体上方;

一旋转连接器,系配置于该支撑体下方;以及

一导线,系将该旋转连接器以及该电极盘电性连接。

2、如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,包括一绝缘体,配置于该电极盘与该支撑体之间。

3、如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,该旋转连接器为一水银接头。

4、如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,该旋转连接器内还具有一冷却室、一进气口、以及一排气口。

5、如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,还包括一挡板,且该挡板配置于该电极盘下方,且挡板的电性为接地电位。

6、如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,还包括一旋转驱动器,且该旋转驱动器配置于该电极盘下方。

7、如权利要求2所述的偏压式等离子源,其特征在于,该绝缘体的材质为陶瓷。

8、一种等离子处理机构,其特征在于包括:

一反应腔,包括一底板、一顶板、一周壁、以及一进料门,且该反应腔具有一进气口以及一排气口;以及

一偏压式等离子源,配置于该反应腔内,并包括:

一支撑体;

一电极盘,配置于该支撑体上方;一旋转连接器,配置于该支撑体下方;以及

一导线,将该旋转连接器以及该电极盘电性连接。

9、如权利要求8所述的等离子处理机构,其特征在于,该偏压式等离子源还包括一绝缘体,配置于该电极盘与该支撑体之间。

10、如权利要求8所述的等离子处理机构,其特征在于,该旋转连接器为一水银接头。

11、如权利要求8所述的等离子处理机构,其特征在于,该旋转连接器内还具有一冷却室、一进气口、以及一排气口。

12、如权利要求8所述的等离子处理机构,其特征在于,该偏压式等离子源还包括一挡板,且该挡板配置于该电极盘下方。

13、如权利要求8所述的等离子处理机构,其特征在于,该偏压式等离子源还包括一旋转驱动器,且该旋转驱动器配置于该电极盘下方。

14、如权利要求9所述的等离子处理机构,其特征在于,该绝缘体的材质为陶瓷。

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