[实用新型]多晶硅破碎台无效
| 申请号： | 200820182364.6 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN201373478Y | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘文;王荣跃 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | F24C15/20 | 分类号： | F24C15/20;F24C7/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范晓斌;王 刚 |
| 地址： | 221004江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 破碎 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅破碎台，包括用于承载待破碎的多晶硅的破碎台表面，其特征在于，所述破碎台表面由高纯硅层的表面形成。
2.根据权利要求1所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述高纯硅层包括彼此紧密排列的多个高纯硅芯，所述多个高纯硅芯的对应多个上表面一起形成所述破碎台表面。
3.根据权利要求2所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述多个高纯硅芯的各个上表面处于同一平面内。
4.根据权利要求1或2所述的多晶硅破碎台，其特征在于，还包括围堰，所述围堰围绕所述高纯硅层设置。
5.根据权利要求4所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述围堰的高度超过所述破碎台表面。
6.根据权利要求5所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述围堰包括开口部，以便移除破碎后的多晶硅。
7.根据权利要求4所述的多晶硅破碎台，其特征在于，还包括支撑台，所述高纯硅层设置在所述支撑台上。
8.根据权利要求7所述的多晶硅破碎台，其特征在于，所述围堰与所述支撑台形成一体。
9.根据权利要求7所述的多晶硅破碎台，其特征在于，还包括支架，所述支撑台设置在所述支架上。
11.根据权利要求1或2所述的任一多晶硅破碎台，其特征在于：所述高纯硅层的纯度不小于99.99％。
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