[实用新型]多晶硅破碎台

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种多晶硅破碎台。

背景技术

多晶硅是硅产品产业链中极为重要的中间产品，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的基础材料。近年来随着绿色能源太阳能的大规模推广应用，多晶硅作为硅基太阳能电池的最主要和最基础的原材料，引起了人们广泛的关注。

在多晶硅的多种制备方法中，已经商业化应用的是改良西门子法：冶金硅粉与氯化氢在一定温度、压力条件下生成三氯氢硅，对其精馏提纯，纯化后的高纯三氯氢硅与氢气混合后供入还原炉，在一定温度、压力下，在倒U型的硅芯载体上进行气相化学沉积，生成棒状多晶硅，反应结束时硅棒直径可达150～170mm，长度约2300mm。

多晶硅棒经直拉法制备成单晶硅，即，将多晶硅棒破碎成一定尺寸的硅块，放入坩埚，以定向的籽晶为生长晶核，生长出一定晶向的单晶。在硅棒破碎过程中，多晶硅棒放置在破碎台上，多以汽锤等机械方式击打破碎。在此过程中，破碎台表面承受较大外力，造成表面磨损，脱落下的碎屑会混入硅块、硅粉尘中，引入污染物，造成多晶硅块纯度的下降，继而对单晶质量造成影响。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种多晶硅破碎台，该多晶硅破碎台的破碎台表面由高纯硅形成。特别是，所述高纯硅包括彼此紧密排列的多个高纯硅芯，所述多个高纯硅芯的对应多个上表面一起形成所述破碎台表面。

本实用新型的多晶硅破碎台在工作时，将待破碎的多晶硅棒放置在由高纯硅形成的破碎台表面上，并用汽锤等机械方式击打破碎该多晶硅棒以形成碎硅块。当外力冲击造成破碎台表面磨损时，所产生的碎屑会混入多晶硅棒形成的碎硅块中，但是由于该碎屑本身就是高纯硅，因此，不会造成产品纯度下降，有利于后续拉制单晶的进行。

附图说明

图1为本实用新型的多晶硅破碎台的透视图。

图2为从多晶硅破碎台的支撑台的短边(围堰的开口部)一侧看过去的多晶硅破碎台的侧视图。

图3为从多晶硅破碎台的支撑台的长边看过去的多晶硅破碎台的侧视图。

具体实施方式

以下实施例是对本实用新型的进一步说明，而不是限制本实用新型的范围。

图1示出了本实用新型的多晶硅破碎台的一个示例。该多晶硅破碎台包括支架2，支撑台1、围堰3和多个高纯硅芯4。支架2用于支撑整个多晶硅破碎台。支撑台1设置在支架2上，多个高纯硅芯4布置在支撑台1上，以形成高纯硅层。各个高纯硅芯4可以为圆柱状，其长度可以在2～5mm之间，直径可以在8～12mm之间。通常，该高纯硅芯4可以是纯度不小于99.99％的高纯硅。

这些高纯硅芯4彼此紧密地排列在支撑台1的表面上。支撑台1可以长方形。为了图示清楚起见，图1中的高纯硅芯4仅覆盖支撑台1的一部分表面。实际上，这些高纯硅芯4可铺满支撑台1的整个表面(如图3所示)。

这些高纯硅芯4的高度基本相同，这样，当将这些高纯硅芯4铺设在支撑台的表面上时，它们的各个上表面就一起形成了本实用新型的多晶硅破碎台的破碎台表面4’(参见图2和图3)。而且，可以对该破碎台表面4’进行打磨，以使得各个高纯硅芯4的上表面基本处于同一平面内，从而使得该破碎台表面4’形成为平面。

在工作时，将待破碎的多晶硅棒置于该破碎台表面4’上，并用汽锤等机械方式击打破碎。

为了保持这些高纯硅芯4在支撑台1上的位置，在这些高纯硅芯4的周围设置有围堰3。而且，如图2清楚所示，围堰3的高度可以大于高纯硅芯4的高度。这样，多晶硅棒破碎后形成的碎块也能够被容易地保持在围堰3内。在一个实施例中，围堰3可以有开口部3’，这样可以方便地通过该开口部3’将在围堰3内积聚的多晶硅棒碎块铲出。该开口部3’可以形成于长方形支撑台1的短边处。

特别优选的是，该围堰3可以与该支撑台1一体成形，并从支撑台1的边缘向上伸出。