[实用新型]硅衬底外延片去边装片器无效
| 申请号： | 200820199506.X | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN201327825Y | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李迪;徐小红;王健荣;封波 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/306;C23F1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 外延 片去边装片器 | ||
【权利要求书】：
1、一种硅衬底外延片去边装片器，包括有栅格槽的篮体，其特征在于：所述篮体包括至少一个上篮体、至少一个下篮体和一个用于提起篮体的提杆；其中上篮体和下篮体结构相同，上篮体和下篮体上设有沿中心轴呈放射状分布的所述栅格槽；上篮体和下篮体相扣在一起使它们的栅格槽相对，形成容置外延片的圆片槽；提杆与篮体连接。
2、根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边装片器，其特征在于：所述上篮体和下篮体中心设有提杆孔；所述提杆包括上端的手提端和下端的大头端，提杆穿过上篮体和下篮体，由下端的大头端在提杆孔的孔口处托住所述篮体。
3、根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边装片器，其特征在于：所述篮体由一个上篮体和一个下篮体构成。
4、根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边装片器，其特征在于：所述篮体的栅格槽外侧设有侧挡边。
5、根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边装片器，其特征在于：所述篮体为球形体。
6、根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边装片器，其特征在于：所述上篮体或下篮体上的栅格槽的栅格数为30格。
7、根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边装片器，其特征在于：所述栅格槽的底部有托住圆片的筋条。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶能光电(江西)有限公司，未经晶能光电(江西)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820199506.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种挖泥船的斗轮装置
- 下一篇：利用稻米制备富含L-色氨酸发酵液的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
