[实用新型]硅衬底外延片去边装片器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于加工硅片的装片器。

背景技术

在硅衬底上制作LED是一种新的LED制造技术。中国专利申请号为200510025179.7、名称为“在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法”的专利文献公开了一种具有台面结构的硅衬底外延片，该外延片上分布有很多台面，台面之间间隔有沟槽，在台面上生长有多层半导体结构。

在硅衬底台面上形成的多层半导体结构，在生长完成后，每个台面上生长的多层半导体结构的四边存在各种缺陷，如边缘翘起、毛刺不平等，因此需将四边腐蚀掉，即需要进行去边腐蚀的工艺。去边腐蚀工艺是在腐蚀前，将每个台面上的多层半导体结构的主要部分用掩膜覆盖住，让多层半导体结构的边沿暴露出来，再将外延片置于沸腾的磷酸中，对台面上的多层半导体结构的边缘进行去边腐蚀。

目前的硅衬底外延片的去边腐蚀工艺常用到的装片器是方形的花篮状工具。如图6所示，篮体2上面有两排相对的栅格圆片槽，即图中的第一圆片槽7和第二圆片槽9，圆片槽的上面设有压条8。在篮体2上有手柄1。手柄1、篮体2和压条8是可以拆分的组装体。使用时将覆盖有掩膜的圆片插入圆片槽内，夹持在第一圆片槽7和第二圆片槽9之间，压上压条8，由篮体两边的连接槽处挂上手柄1即可。然后将篮体连同圆片一起置入一百多度沸腾的磷酸中，对圆片上的芯片进行去边腐蚀。

然而由于硅衬底外延片的硅基性质很脆，在硅基LED生产过程中，会产生很多破片，这是蓝宝石衬底的外延片绝少遇到的问题，是硅衬底LED加工过程独有一种现象。为了减少成本，通常需要尽量利用好每一破片，因此在生产工程中产生的破片仍然需要参与去边腐蚀过程。对于可以回收利用的破片，破片的大小不一，将其与圆片一起置于圆片槽内，在沸腾的磷酸中进行去边腐蚀时，很多破片会从篮体的顶部或圆片槽的缝隙中跳跃出篮体，掉入磷酸槽内而报废。

为了解决上述问题，现行的一种方式是将破片单独放在一种玻璃器皿内用电炉进行腐蚀。这样的方式不仅浪费磷酸，增加了工序，而且使去边腐蚀的生产效率非常的低下，占用了大量的人力和时间。而且为了控制玻璃器皿内磷酸的温度，需要人工用温度计进行及时测量，这增大了工作人员的被沸腾磷酸烫伤的风险，具有安全隐患。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种硅衬底外延片去边装片器，该装片器用于提高破片的腐蚀效率的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提出一种硅衬底外延片去边装片器，该装片器包括有栅格槽的篮体，所述篮体包括至少一个上篮体、至少一个下篮体和一个用于提起篮体的提杆；其中上篮体和下篮体结构相同，上篮体和下篮体上设有沿中心轴呈放射状分布的所述栅格槽；上篮体和下篮体相扣在一起使它们的栅格槽相对形成容置外延片的圆片槽；提杆与篮体连接。栅格槽用于间隔和托住圆片。

本实用新型的优选方案是：所述上篮体和下篮体中心设有提杆孔；所述提杆包括上端的手提端和下端的大头端，提杆穿过上篮体和下篮体，由下端的大头端在提杆孔的孔口处托住所述篮体。

本实用新型的优选方案是：所述篮体由一个上篮体和一个下篮体构成。

本实用新型的进一步改进是：所述篮体的栅格槽外侧设有侧挡边。侧挡边可以是一条，也可以是多条。

本实用新型的优选方案是：所述篮体为球形体。

本实用新型的优选方案是：所述上篮体或下篮体上的栅格槽的栅格数为30格。

本实用新型的优选方案是：所述栅格槽的底部有托住圆片的筋条。筋条也可以用板面替换。

本实用新型的有益效果如下：本实用新型的圆片槽由上篮体和下篮体的栅格槽合扣组成，这样的圆片槽相比现有技术的中间敞开结构，可以更大程度的限制圆片槽内的破片从顶部跃出；也可以防止破片在去边腐蚀的过程中，从原来的圆片槽内跳窜到相邻的圆片槽内，而影响相邻槽内的外延片的腐蚀效果。本实用新型可以实现圆片和破片放在一起混合腐蚀，而无需单独对破片进行腐蚀，进而提高了生产效率，特别是对破片的腐蚀效率，也节约了磷酸和提高了工作人员的操作安全性，使硅衬底外延片的去边腐蚀工艺得到很大改善。

附图说明

图1是本实用新型的上篮体的结构图；

图2是下篮体的结构图；

图3是下篮体的俯视图；

图4是本实用新型的正面视图；

图5是提杆的结构简图；

图6是现有技术的结构示意图。

具体实施方式