[实用新型]利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种细线路结构，尤其涉及一种利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构。

背景技术

中国台湾专利公告号554351公开一种低温共烧陶瓷基板的高精度内埋组件的制造方法，首先在多层陶瓷基板线路架构中选取适当的区块层加以烧结；再将内埋组件制作在已烧结的区块层表面，或者是将内埋组件制作在尚未烧结的区块层表面后再加以共烧；进行到此步骤的内埋组件需通过激光或其它方式调整其特性值至高精度的目标值，以形成高精度的组件；之后再与多层陶瓷基板线路架构中未烧结的区块层叠压结合后加以烧结，使组件内埋在多层陶瓷之内。

因此，现有烧结程序皆在烧结炉中进行，因此会造成有机基材的损伤。因此，由上可知现有的烧结方式显然具有需要加以改善的不便与缺陷。

鉴于此，本实用新型提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的细线路结构。

发明内容

本实用新型的主要目的在于提供一种利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构。本实用新型先将陶磁材料预先涂布于铜垫上，然后再进行：使用激光将陶磁材料与铜膏做共烧结，以使得陶磁材料与铜膏直接结合在一起；或使用激光先将陶磁材料作烧结，然后再将铜膏结合于陶磁材料上，故本实用新型不会损伤有机基材。

为了解决上述技术问题，根据本实用新型的其中一种方案，提供一种利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构，该结构包括：一基板单元、一第一导电层、一陶磁材料层、一第二导电层及多个绝缘层。其中，该基板单元具有一基板本体及多个贯穿该基板本体的穿孔。该第一导电层填充于所述穿孔内并且形成于该基板本体上。该陶磁材料层形成于该第一导电层上。该第二导电层形成于该陶磁材料层上。所述绝缘层分别设置于该第一导电层之间，以使得该第一导电层只露出一部分区域并且使得该第二导电层只露出一部分区域。其中，通过激光共烧结该第二导电层与该陶磁材料层的方式或通过只有激光烧结该陶磁材料层的方式，以使得该第二导电层与该陶磁材料层结合在一起。

为了解决上述技术问题，根据本实用新型的其中一种方案，提供一种利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构，该结构包括：一基板单元、一第一导电层、一陶磁材料层、一第二导电层及多个绝缘层。其中，该基板单元具有一基板本体及多个贯穿该基板本体的穿孔。该第一导电层填充于所述穿孔内并且形成于该基板本体上，并且该第一导电层具有至少两个开口。该陶磁材料层形成于该第一导电层上并且填充于该第一导电层的至少两个开口内，以接触于该基板本体。该第二导电层形成于该陶磁材料层上并且包覆该陶磁材料层。所述绝缘层分别设置于该第一导电层之间，以使得该第一导电层只露出一部分区域并且使得该第二导电层只露出一部分区域。其中，通过激光共烧结该第二导电层与该陶磁材料层的方式或通过只有激光烧结该陶磁材料层的方式，以使得该第二导电层与该陶磁材料层结合在一起。

本实用新型的优点在于：使用激光将陶磁材料与铜膏做共烧结或使用激光先将陶磁材料作烧结，不会损伤有机基材。

为了能更进一步了解本实用新型为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，相信本实用新型的目的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明，并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

图1A至图1F分别为本实用新型利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构的制造方法的第一实施例的制作流程剖面示意图；

图2A至图2F分别为本实用新型利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构的制造方法的第二实施例的制作流程剖面示意图；

图3A至图3G分别为本实用新型利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构的制造方法的第三实施例的制作流程剖面示意图；以及

图4A至图4G分别为本实用新型利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构的制造方法的第四实施例的制作流程剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

基板单元    1a、1b、1c、1d

基板本体    10a、10b、10c、10d

穿孔        11a、11b、11c、11d

第一导电层  2a、2b、2c、2d

开口        20b、20d

陶磁材料层  3a、3b、3c、3d

导电膏      4a、4b、4c、4d

第二导电层  4a′、4b′、4c′、4d′

绝缘材料    5a、5b、5c、5d