[实用新型]CMOS电流自动控制晶体振荡器

权利要求书

1、一种CMOS电流自动控制晶体振荡器，其特征在于：

包括振荡电路(1)、幅度检测电路(2)、自动增益控制电路(3)、电流源

(4)和电平检测单元(5)；

其中电流源(4)接振荡电路(1)，振荡电路(1)信号输出端接振荡信号幅度检测电路(2)，幅度检测电路(2)信号输出端接自动增益控制电路(3)，自动增益控制电路(3)的反馈信号输出端接电流源(4)用以控制偏置电流；

振荡电路(1)的信号输出端还接电平检测单元(5)，电平检测单元(5)的关断信号输出端接电流源(4)和自动增益控制电路(3)。

2、根据权利要求1所述的电流自动控制晶体振荡器，其特征在于：振荡电路(1)由NMOS主振管(M1)与电阻(R1)、电阻(R2)、电阻(R3)组成；主振管(M1)栅极同时与电阻(R3)、振荡电容(Co1)和幅度检测电路(2)的信号输入端连接，主振管(M1)源极接振荡电容(Co1)、电容(Co2)、电流源(4)的输出端和电平检测单元(5)的信号输入端，主振管(M1)漏极接电源；振荡电容(Co1)、电容(Co2)串联后与晶体并联；电容(Co2)与晶体的连接点连接到地；电阻(R1)和电阻(R2)串联在电源和地之间，串联点连接电阻(R3)。

3、根据权利要求1所述的电流自动控制晶体振荡器，其特征在于：电流源(4)由NMOS管(M2)和NMOS管(M9)组成；NMOS管(M2)的漏极接主振管(M1)的源极，NMOS管(M9)的漏极接NMOS管(M2)的栅极，同时连接到自动增益控制电路(3)的输出端，NMOS管(M2)和NMOS管(M9)的源极相连并且连接到地。

4、根据权利要求1所述的电流自动控制晶体振荡器，其特征在于：幅度检测电路(2)由NMOS管(M3)、电容(C1)、电阻(R4)组成，电容(C1)与电阻(R4)串联，串联点接NMOS管(M3)的栅极，电容(C1)接主振管(M1)的栅极，NMOS管(M3)的漏极为输出端，NMOS管(M3)的源极与电阻(R4)相连并连接到地。

5、根据权利要求1所述的电流自动控制晶体振荡器，其特征在于：自动增益控制电路(3)由PMOS管(M4)、两个电容(C2)、电容(C3)和一个电阻(R5)组成，PMOS管(M4)的漏极接电容(C2)和电阻(R5)，PMOS管(M4)的漏极还与NMOS管(M3)的漏极相接，PMOS管(M4)的源极接电源，电阻(R5)和电容(C3)串接，串联点为输出端，电容(C3)接NMOS管(M3)的源极并且连接到地。

6、根据权利要求1所述的电流自动控制晶体振荡器，其特征在于：电平检测单元(5)由两个PMOS管(M5)、PMOS管(M7)、两个NMOS管(M6)、NMOS管(M8)、一个反相器组成，PMOS管(M5)的源极与NMOS管(M6)的漏极并联，连接至主振管(M1)的源极，PMOS管(M5)的漏极与M6的源极并联，连接至PMOS管(M7)、NMOS管(M8)的栅极；PMOS管(M5)的栅极与NMOS管(M6)的栅极相连，PMOS管(M7)的漏极和NMOS管(M8)的漏极相连，接至反相器的输入端，反相器的输出端接电流源(4)的NMOS管(M9)和自动增益控制电路(3)的PMOS管(M4)的栅极。