[实用新型]CMOS电流自动控制晶体振荡器无效
申请号: | 200820212071.8 | 申请日: | 2008-09-27 |
公开(公告)号: | CN201298823Y | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 王澜;袁远 | 申请(专利权)人: | 美芯集成电路(深圳)有限公司 |
主分类号: | H03B5/38 | 分类号: | H03B5/38;H03G3/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 电流 自动控制 晶体振荡器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种CMOS工艺的电流自动控制Colpittis晶体振荡器。
背景技术
振荡器是众多电子产品的必要部分,而晶体振荡器凭借其高精度和高频率稳定度这一特点,在电子技术领域中占有重要的地位。尤其是信息技术(IT)产业的高速发展,更使晶体振荡器焕发出勃勃生机。晶体振荡器在通信系统、移动电话系统、全球定位系统(GPS)、导航、遥控、航空航天、高速计算机、精密计测仪器及消费类民用电子产品中,作为标准频率源或脉冲信号源,提供频率基准,是目前其它类型的振荡器所不能替代的。晶体振荡器是在没有外加输入信号的条件下,依靠晶体的压电特性、有源激励和无源电抗网络产生振荡。在CMOS工艺条件下,常用的振荡器形式有两种,Pierce振荡器和Colpittis振荡器,二者依据的都是三点式振荡原理,Pierce振荡器需要接晶体的两端,但是在许多电路应用中要求晶体单端连接,Colpittis振荡器就体现出了应用优势,而且Colpittis振荡器的谐波特性好过Pierce振荡器。然而在振荡建立方面,Colpittis振荡器相对于Pierce振荡器不容易起振,起振时间长,功耗也较大。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是提供一种CMOS电流自动控制Colpittis晶体振荡器,使CMOS振荡电路启动时快速建立振荡,振荡产生后又很快调整偏置,使振荡电路稳定在维持振荡的最小电流状态。
实现本实用新型发明目的的技术方案:
一种CMOS电流自动控制Colpittis晶体振荡器,其特征在于:包括振荡电路(1)、幅度检测电路(2)、自动增益控制电路(3)、电流源(4)和电平检测单元(5);其中电流源(4)接振荡电路(1),振荡电路(1)信号输出端接幅度检测电路(2),幅度检测电路(2)信号输出端接自动增益控制电路(3),自动增益控制电路(3)的反馈信号输出端接电流源(4)用以控制偏置电流;振荡电路(1)的信号输出端还接电平检测单元(5),电平检测单元(5)的关断信号输出端接电流源(4)和自动增益控制电路(3)。
有益效果:
本实用新型通过采用幅度检测和自动增益控制的方法,调整电流源的偏置,从而保证CMOS振荡电路启动时快速建立振荡,振荡产生后又很快调整偏置,使振荡电路稳定在维持振荡的最小电流状态,有效地提高了起振速度,降低了功耗。
附图说明
图1为本实用新型的电路结构框图;
图2为本实用新型的振荡和电平检测功能框图;
图3为本实用新型各模块的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示,电流源4接振荡电路1,为振荡电路提供偏置电流,振荡电路1信号输出端接幅度检测电路2,幅度检测电路2信号输出端接自动增益控制电路3,自动增益控制电路3的反馈信号输出端接电流源4用以控制偏置电流。
如图2所示,振荡电路1的信号输出端还接电平检测单元5,电平检测单元5的关断信号输出端接电流源4和自动增益控制电路3。
如图3所示,振荡电路由NMOS主振管M1与电阻R1、R2、R3组成;主振管M1栅极同时与电阻R3和幅度检测电路的信号输入端连接,主振管M1源极接振荡电容Co1、Co2和电平检测单元的信号输入端;振荡电容Co1、Co2串联后与晶体并联,电阻R1和R2串联在电源和地之间,串联点连接电阻R3。
幅度检测电路由NMOS管M3、电容C1、电阻R4组成,电容C1与电阻R4串联,串联点接NMOS管M3的栅极,电容C1接主振管M1的栅极。
自动增益控制电路由PMOS管M4、两个电容C2、C3和一个电阻R5组成,PMOS管M4的漏极接电容C2和电阻R5,PMOS管M4的漏极还与NMOS管M3的漏极相接,电阻R5和电容C3串接,电容C3接NMOS管M3的源极并且连接到地。
电平检测单元由两个PMOS管M5、M7、两个NMOS管M6、M8、一个反相器组成,PMOS管M5的源极与NMOS管M6的漏极并联,连接至主振管M1的源极,M5的漏极与M6的源极并联,连接至PMOS管M7、NMOS管M8的栅极;PMOS管M5的栅极与NMOS管M6的栅极相连,PMOS管M7的漏极和NMOS管M8的漏极相连,接至反相器INV的信号输入端。NMOS管M2为电流源中的NMOS管。
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