[实用新型]多晶环装置有效
申请号: | 200820235200.5 | 申请日: | 2008-12-18 |
公开(公告)号: | CN201340845Y | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 卢炳昌 | 申请(专利权)人: | 先进光电器材(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 | 代理人: | 张 明 |
地址: | 518115广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种多晶环装置,特别涉及一种可上升下降及旋转的固晶机多晶环装置。
背景技术
固晶机是生产发光二极管(LED)中必不可少的设备。在固晶机结构中,多晶环装置对多色发光二极管生产比较重要。在现有的多晶环装置中,为实现多个晶片环可转动,主要的设计方法是将多个晶片环夹紧在一可转的轴上,而该转动轴由一电机提供动能。而为实现多个晶片环定位,主要的定位方法则是在晶片环设置定位孔,当该多个晶片环需要转动时,定位轴下降,顶针器也下降,当该多个晶片环转动到所需位置时,定位轴上升,与定位孔配合,从而实现晶片环的定位,此时,顶针器也需要上升。
然而,上述定位方法对各定位孔的位置公差精度要求高,对生产能力要求高,提高了生产成本;且除了定位轴需要上升及下降来配合晶片环转动外,顶针器也需要上升及下降,容易使顶针器中心位置精度受到影响,进而影响到取晶头与顶针器顶针配合精度,即影响晶片环取晶位置精度。
实用新型内容
本实用新型主要解决的技术问题在于提供一种提高晶片环取晶位置的精度的多晶环装置。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下结构:
一种多晶环装置,其包括顶针器、至少两晶片环、连接盘、转轴、离合器、连接板、固定座、分别提供旋转运动和上升下降运动的第一动力源和第二动力源,该顶针器与该固定座相对固定,该至少两晶片环固定于该连接盘上,该第一动力源带动该转轴转动,该离合器包括离合主动件和离合从动件,该离合从动件和连接盘相对固定该转轴的两端,该离合主动件固定在该固定座上,该第二动力源与该连接板连接,并通过该连接板带动该离合从动件上升下降,使其与该离合主动件分离或结合。
其中,该固定座包括侧板,该侧板装设有直导轨,该连接板固设有另一侧板,该侧板上设有引导条,该引导条与该直导轨滑动配合。
其中,该多晶环装置还包括同步带、第一带轮和第二带轮,第一带轮和第二带轮通过该同步带传动连接,该第一带轮分别与该转轴和连接盘固定,该连接盘、第一带轮、转轴、离合从动件和离合主动件均同轴设置,该第二带轮与第一动力源连接。
其中,该第一动力源包括一驱动轴,该驱动轴与该转轴并排设置,该连接板可转动地套设在该转轴和驱动轴上,并位于该连接盘和离合从动件之间。
其中,该转轴与第一动力源通过齿轮传动连接。
其中,该转轴与第一动力源通过链条传动连接。
其中,该离合从动件和离合主动件为端面齿牙离合器。
其中,所述第一动力源为旋转马达。
其中,所述第二动力源为气动件。
本实用新型多晶环装置的连接板在第二动力源驱动下上升,并带动连接盘和晶片环上升,接着晶片环通过该第一动力源进行旋转,当旋转到所需位置后再下降定位,此过程中,顶针器不需跟着上升及下降,因而可减少顶针器中心发生错位,与现有技术相比,在晶片环转动后,取晶头与顶针器顶针配合精度更高,晶片环的取晶位置更加精确;
连接板通过该引导条与直导轨的相对滑动,能稳定地上升及下降;由于连接板在上升时与该离合主动件水平位置相对固定,通过将该连接板的两通孔分别与该转轴和第一动力源的驱动轴配合,可以保证该离合从动件与离合主动件同轴,使该离合从动件更容易回位。
附图说明
图1是本实用新型多晶环装置实施例的立体拆解图;
图2是本实用新型多晶环装置实施例晶片环定位时的结构示意图;
图3是本实用新型多晶环装置实施例晶片环旋转时的结构示意图。
主要组件符号说明
10-晶片环;100-多晶环装置;15-连接盘;20-离合器;21-同步带;22-第一带轮;24-第二带轮;26-转轴;28-离合从动件;29-离合主动件;30-第一动力源;40-第二动力源;42-伸缩端;50-连接板;52、54-通孔;55-侧板;58-引导条;60-直导轨;70-固定座;72-固定板;75-导板;90-顶针器;92-顶针
具体实施方式
如图1所示,本实用新型多晶环装置提出一实施例。多晶环装置100应用于固晶机中,多晶环装置100包括:多个晶片环10,连接盘15,离合器20,同步带21,第一带轮22,第二带轮24,转轴26,第一动力源30,第二动力源40,连接板50、直导轨60、固定座70及顶针器90(见图2)。
本实施例中晶片环10为四个,其分别固定于连接盘15侧周面的四个等距位置上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造