[发明专利]有机电致发光器件和其制造方法有效
申请号: | 200880000488.0 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN101542735A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 吉田英博;森清隆;小野晋也;山室景成 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L27/12;H01L27/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 葛 飞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括:
半导体元件A,其具有源电极、漏电极、半导体层以及栅电极;
半导体元件B,其具有源电极、漏电极、半导体层以及与所述元件A 的源电极或漏电极连接的栅电极;以及
有机电致发光元件,其具有与所述元件B的漏电极连接的像素电极,
所述元件A的源电极和漏电极、以及所述元件B的栅电极被配置在同 一平面上,
所述元件A和所述元件B中的至少一个的所述半导体层被规定在所述 元件A或所述元件B的源电极和漏电极之间的区域以及源电极和漏电极的 区域内,
所述像素电极被配置在所述元件A和元件B上。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,
所述元件A是顶栅型TFT,所述元件B是底栅型TFT。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,
所述元件A是底栅型TFT,所述元件B是顶栅型TFT。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,
所述元件A或所述元件B的半导体层包含硅。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,
所述元件A或所述元件B的半导体层包含有机半导体。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,
所述元件A以及所述元件B的半导体层包含有机半导体,
所述元件A的半导体层所包含的有机半导体与所述元件B的半导体层 所包含的有机半导体不同。
7.一种有机电致发光显示器,其是在一个基板上以矩阵状地配置有多 个权利要求1的有机电致发光器件的有机电致发光显示器,
与所述各个的元件A的栅电极连接的扫描电极线和与所述各个的元件 B的源电极连接的公共电极线与X轴平行,
与所述各个的元件A的源电极连接的数据电极线与Y轴平行,
所述X轴与所述Y轴正交。
8.一种有机电致发光器件的制造方法,包括以下的步骤:
准备基板;
在所述基板的同一平面上形成半导体元件A的源电极和漏电极、半导 体元件B的栅电极、以及将半导体元件A的源电极或漏电极与半导体元件 B的栅电极连接的接触部;
形成被规定在所述元件A的源电极和漏电极之间的区域以及源电极和 漏电极的区域内且将所述元件A的源电极与漏电极连接的所述元件A的半 导体层;
在所述元件A的源电极、漏电极和半导体层、以及所述元件B的栅电 极上形成栅极绝缘膜;
在所述栅极绝缘膜上形成元件A的栅电极、以及元件B的源电极和漏 电极;
形成被规定在所述元件B的源电极和漏电极之间的区域以及源电极和 漏电极的区域内且将所述元件B的源电极和漏电极连接的所述元件B的半 导体层;以及
形成被配置在所述元件A和元件B上且与所述元件B的漏电极连接的 有机电致发光元件的像素电极。
9.如权利要求8所述的方法,其中,
所述元件A以及所述元件B的半导体层包含有机半导体,
所述元件A的半导体层所包含的有机半导体与所述元件B的半导体层 所包含的有机半导体不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的