[发明专利]有机电致发光器件和其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880000488.0 申请日: 2008-05-30
公开(公告)号: CN101542735A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 吉田英博;森清隆;小野晋也;山室景成 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77;H01L27/12;H01L27/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛 飞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件,包括:

半导体元件A,其具有源电极、漏电极、半导体层以及栅电极;

半导体元件B,其具有源电极、漏电极、半导体层以及与所述元件A 的源电极或漏电极连接的栅电极;以及

有机电致发光元件,其具有与所述元件B的漏电极连接的像素电极,

所述元件A的源电极和漏电极、以及所述元件B的栅电极被配置在同 一平面上,

所述元件A和所述元件B中的至少一个的所述半导体层被规定在所述 元件A或所述元件B的源电极和漏电极之间的区域以及源电极和漏电极的 区域内,

所述像素电极被配置在所述元件A和元件B上。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,

所述元件A是顶栅型TFT,所述元件B是底栅型TFT。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,

所述元件A是底栅型TFT,所述元件B是顶栅型TFT。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,

所述元件A或所述元件B的半导体层包含硅。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,

所述元件A或所述元件B的半导体层包含有机半导体。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,

所述元件A以及所述元件B的半导体层包含有机半导体,

所述元件A的半导体层所包含的有机半导体与所述元件B的半导体层 所包含的有机半导体不同。

7.一种有机电致发光显示器,其是在一个基板上以矩阵状地配置有多 个权利要求1的有机电致发光器件的有机电致发光显示器,

与所述各个的元件A的栅电极连接的扫描电极线和与所述各个的元件 B的源电极连接的公共电极线与X轴平行,

与所述各个的元件A的源电极连接的数据电极线与Y轴平行,

所述X轴与所述Y轴正交。

8.一种有机电致发光器件的制造方法,包括以下的步骤:

准备基板;

在所述基板的同一平面上形成半导体元件A的源电极和漏电极、半导 体元件B的栅电极、以及将半导体元件A的源电极或漏电极与半导体元件 B的栅电极连接的接触部;

形成被规定在所述元件A的源电极和漏电极之间的区域以及源电极和 漏电极的区域内且将所述元件A的源电极与漏电极连接的所述元件A的半 导体层;

在所述元件A的源电极、漏电极和半导体层、以及所述元件B的栅电 极上形成栅极绝缘膜;

在所述栅极绝缘膜上形成元件A的栅电极、以及元件B的源电极和漏 电极;

形成被规定在所述元件B的源电极和漏电极之间的区域以及源电极和 漏电极的区域内且将所述元件B的源电极和漏电极连接的所述元件B的半 导体层;以及

形成被配置在所述元件A和元件B上且与所述元件B的漏电极连接的 有机电致发光元件的像素电极。

9.如权利要求8所述的方法,其中,

所述元件A以及所述元件B的半导体层包含有机半导体,

所述元件A的半导体层所包含的有机半导体与所述元件B的半导体层 所包含的有机半导体不同。

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