[发明专利]有机电致发光器件和其制造方法有效
申请号: | 200880000488.0 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN101542735A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 吉田英博;森清隆;小野晋也;山室景成 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L27/12;H01L27/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 葛 飞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机EL(Electroluminescent:电致发光)器件和其制造方法,特别涉及有机EL显示器。
背景技术
有机EL显示器的构成要素的有机EL器件一般包括:有机EL元件和用于驱动该元件的薄膜晶体管(TFT:thin film transistor)。一般的有机EL器件为了驱动有机EL元件,使用驱动用晶体管(驱动TFT)和开关用晶体管(开关TFT),所述开关用晶体管将驱动用晶体管导通或截止。
作为有机EL器件的代表性的结构的例子,已知:在晶体管上层叠有机EL元件的顶部发光结构(例如,参照专利文献1)。这样的有机EL器件称为顶部发光型有机EL器件,来自发光层的光通过与基板相反侧的密封膜进行释放。
图1表示专利文献1记载的现有的顶部发光型有机EL器件的结构。在图1所示的顶部发光型有机EL器件中,驱动用的薄膜晶体管123(驱动TFT)的源极区域141a经由接触孔145与像素电极111连接。另外,薄膜晶体管123的漏极区域141b经由设置在接触孔146的电源线103与开关用的薄膜晶体管(开关TFT)142连接。
在图1中,省略了与驱动用的薄膜晶体管123连接的开关用的薄膜晶体管142的图示。
专利文献1:(日本)特开2003-249375号公报
但是,如上述现有的有机EL器件的结构的、经由接触孔连接(连结)开关TFT与驱动TFT有时是困难的,特别是在高分辨率的有源型的有机EL显示器中成为降低成品率的主要原因之一。
发明内容
本发明的目的在于:解决上述现有的课题,更加可靠地进行驱动用晶 体管与开关用晶体管之间的连结的同时,提高成品率。
另外,本发明的目的在于:提供具有高响应性的有机EL显示器和其制造方法。
本发明的第一方面,涉及以下所述的有机EL器件。
、本发明的有机EL器件包括:半导体元件A,其具有源电极和漏电极、以及栅电极;半导体元件B,其具有源电极和漏电极、以及与所述半导体元件A的源电极或漏电极连接的栅电极;以及有机EL元件,其具有与所述半导体元件B的漏电极连接的像素电极,所述半导体元件A的源电极和漏电极、以及所述半导体元件B的栅电极被配置在同一平面上。
、[1]中记载的有机EL器件,其中,所述半导体元件A是顶栅型TFT,所述半导体元件B是底栅型TFT。
、[1]中记载的有机EL器件,其中,所述半导体元件A是底栅型TFT,所述半导体元件B是顶栅型TFT。
、[1]至[3]的任一个中记载的有机EL器件,其中,所述半导体元件A或所述半导体元件B的半导体层包含硅。
、[1]至[3]的任一个中记载的有机EL器件,其中,所述半导体元件A或所述半导体元件B的半导体层包含有机半导体。
、[1]至[3]的任一个中记载的有机EL器件,其中,所述半导体元件A以及所述半导体元件B的半导体层包含有机半导体,而所述半导体元件A的半导体层所包含的有机半导体与所述半导体元件B的半导体层所包含的有机半导体不同。
本发明的第二方面,涉及以下所述的有机EL显示器。
、本发明的有机EL显示器是在一个基板上矩阵状地配置[1]至[6]的任一个中的有机EL器件的有机EL显示器,与所述各个的半导体元件A的栅电极连接的扫描电极线和与所述各个的半导体元件B的源电极连接的公共电极线与X轴平行,而与所述各个的半导体元件A的源电极连接的数据电极线与Y轴平行,并且所述X轴与所述Y轴正交。
本发明的第三方面,涉及以下所述的有机EL器件的制造方法。
、本发明的有机EL器件的制造方法包括以下的步骤:准备基板;在所述基板的同一平面上形成半导体元件A的源电极和漏电极、半导体元件B的栅电极、以及将半导体元件A的源电极或漏电极与半导体元件B的栅 电极连接的接触部;形成将所述半导体元件A的源电极与漏电极连接的所述半导体元件A的半导体层;在所述半导体元件A的源电极、漏电极和半导体层、以及所述半导体元件B的栅电极上形成栅极绝缘膜;在所述栅极绝缘膜上形成所述半导体元件A的栅电极、以及半导体元件B的源电极和漏电极;形成将所述半导体元件B的源电极和漏电极连接的所述半导体元件B的半导体层;以及形成与所述半导体元件B的漏电极连接的有机EL元件的像素电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的