[发明专利]溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种溅射靶，是供给溅射、向非腐蚀部堆积堆积物的溅射靶， 其特征在于，该堆积物至少直至界面附近的层结晶性良好地进行堆积。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述界面附近的 层是从界面至100nm附近的区域，该区域是结晶性良好的结晶层。

3.一种溅射靶，其特征在于，供给溅射、投入50Wh/cm²以上的能 量后的向非腐蚀部的堆积物在与溅射面之间基本上不存在空隙而进行 堆积。

4.根据权利要求3所述的溅射靶，其特征在于，所述堆积物和溅 射面的空隙是1μm以下。

5.一种溅射靶，其特征在于，靶的溅射面上具有水吸附层。

6.根据权利要求5所述的溅射靶，其特征在于，在溅射面的至少 非腐蚀部上存在所述水吸附层。

7.根据权利要求5或6所述的溅射靶，其特征在于，通过用水湿 润溅射面后由吹气吹掉多余附着的水分而形成所述水吸附层。

8.根据权利要求5或6所述的溅射靶，其特征在于，所述水吸附 层通过接触吸收水的吸水部件而形成。

9.根据权利要求5～8的任一项所述的溅射靶，其特征在于，所 述水吸附层以目视观察不到的程度存在水。

10.根据权利要求5～9的任一项所述的溅射靶，其特征在于，具 有所述水吸附层的溅射面在照射具有6.6eV光子能的波长的光时的光 电子收率是400计数/秒以下。

11.根据权利要求5～10的任一项所述的溅射靶，其特征在于， 形成所述水吸附层后被包装出厂。

12.根据权利要求5～10的任一项所述的溅射靶，其特征在于， 所述水吸附层在即将溅射放电开始前形成。

13.权利要求5～12的任一项所述的溅射靶，其是供给溅射、向 非腐蚀部堆积堆积物的溅射靶，其特征在于，该堆积物至少直至界面 附近的层结晶性良好地进行堆积。

14.根据权利要求13所述的溅射靶，其特征在于，所述界面附近 的层是从界面至100nm附近的区域，该区域是结晶性良好的结晶层。

15.权利要求5～12的任一项所述的溅射靶，其是供给溅射、投 入50Wh/cm²以上的能量后的溅射靶，其特征在于，向非腐蚀部的堆积 物在与溅射面之间基本上不存在空隙而进行堆积。

16.根据权利要求15所述的溅射靶，其特征在于，所述堆积物和 溅射面的空隙是1μm以下。

17.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，具有在靶的溅射面上 形成水吸附层的工序。

18.根据权利要求17所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在 溅射面的至少非腐蚀部上形成所述水吸附层。

19.根据权利要求17或18所述的溅射靶的制造方法，其特征在 于，通过用水湿润靶的溅射面后由吹气吹掉多余附着的水分而形成所 述水吸附层。

20.根据权利要求19所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，用 所述水湿润的工序通过注入水、浸渍在水中、喷雾水、接触吸收水的 吸水部件的任一种进行。

21.根据权利要求17或18所述的溅射靶的制造方法，其特征在 于，通过接触吸收水的吸水部件来形成所述水吸附层。

22.根据权利要求17～21的任一项所述的溅射靶的制造方法，其 特征在于，所述水吸附层以目视观察不到的程度存在水。

23.根据权利要求17～22的任一项所述的溅射靶的制造方法，其 特征在于，具有所述水吸附层的表面在照射具有6.6eV光子能的波长 的光时的光电子收率是400计数/秒以下。

24.根据权利要求17～23的任一项所述的溅射靶的制造方法，其 特征在于，将靶本体与背板接合后实施形成所述水吸附层的工序，其 后进行包装。