[发明专利]溅射靶及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200880000553.X 申请日: 2008-04-25
公开(公告)号: CN101542012A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 高桥诚一郎;清远纯一 申请(专利权)人: 三井金属矿业株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李 帆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 溅射 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及溅射靶及其制造方法。

背景技术

作为一般的使薄膜成膜的方法之一周知有溅射法。所谓溅射法是 通过对溅射靶进行溅射得到薄膜的方法,由于大面积化容易、可以高 效率地使高性能的膜成膜,所以被用于工业。另外,近年作为溅射的 方式还周知有在反应性气体中进行溅射的反应性溅射法、和在靶的背 面设置磁铁而谋求薄膜形成高速化的磁控管溅射法等。

在这样的溅射法中所用的薄膜中,特别是氧化铟-氧化锡(In2O3-SnO2的复合氧化物,以下称为“ITO”)膜,由于其可见光透射性高 而且导电性高,所以作为透明导电膜被广泛地用于液晶显示装置和玻 璃结露防止用发热膜、红外线反射膜等。

因此,为了以更低成本更有效地成膜,即使是现在,也每天进行 着溅射条件和溅射装置等的改良,如何使装置有效地动作是重要的。

在这样的ITO溅射中,从设置新的溅射靶直至没有初期的电弧(异 常放电)而能够制造制品的时间短、和一次设置后能够使用多长时间 (累积溅射时间:靶寿命)成为问题。

历来认为,靶表面研磨得越平滑,溅射靶的初期弧就越降低,使 表面平滑的表面研磨靶成为主流。

另外,一般认为,连续地进行溅射时,在靶表面生成所谓结瘤的 黑色附着物,这成为异常放电的原因,或者成为微粒的发生源。因此, 为了防止薄膜缺陷,必须定期地除去结瘤,存在与生产率降低相关联 的问题。

例如,开发了通过使靶的表面光洁度在规定范围内以防止打弧和 结瘤的发生的技术(参照专利文献1、2等)。但是,为了制造具有这 样规定的表面光洁度的ITO溅射靶,在烧结后、通过研磨调整厚度后, 必须具有用细的研磨磨石慢慢研磨3~4次的研磨工序,存在制造时间 及成本增多的问题。

另外,提出通过超声波洗涤溅射靶、或者粘贴并剥下胶粘带、或 者清洗研磨粉而防止结瘤和异常放电的发生的技术(参照专利文献 3)。但是,用该技术存在不能充分除去研磨粉末的问题。

另外,例如即使由超声波洗涤等除去了研磨粉末,在将靶粘接在 背板上的后工序中靶的表面也会附着灰尘等,存在初期电弧和微粒抑 制效果小的问题。另外,如果在即将进行作为溅射靶的最终工序的包 装工序之前进行超声波洗涤,可以同时进行研磨粉末的除去和粘接等 时附着的灰尘的除去,但是有在粘接后超声波洗涤今后日益增大的大 型靶是非常困难的问题。

与此相反,有所谓如下技术:通过使除了粘接面以外的靶表面的 全部或者一部分形成粗糙面,在进行连续的溅射时对没有附着在薄膜 形成基板上的靶粒子作为附着物进行捕集,从而抑制从溅射中期一直 到后期发生的微粒,以减少清洗次数(参照专利文献4)。但是,在 上述技术中采用该观点时,在进行光滑处理后必须只使非腐蚀部成为 粗糙面,存在工序明显复杂化的问题。

另外,开发了通过用规定脉冲宽度的激光光束实施表面处理以除 去加工时发生的毛刺和研磨粉末、尘土而显著降低初期弧的技术(参 照专利文献5、6)。

但是,用由激光光束进行的表面处理时,虽然初期弧几乎可以完 全除去,但是由于进行由激光光束的处理,所以有设备投资大的缺点。

另外,开发了表面研磨后通过以规定的压力喷射水而实施表面处 理的技术(专利文献7)。

该技术主要是可以降低靶表面的微裂纹,但是不能降低起因于堆 积在非腐蚀部上的堆积物的微粒,存在所谓有必要按照通常那样进行 清洗的问题。

另外,根据所谓在溅射装置等的真空装置中严禁存在水的技术常 识,在现有技术中用水洗涤或者喷雾水后必须有由真空加热干燥或加 热处理进行干燥的工序。

专利文献1:特许第2750483号公报

专利文献2:特许第3152108号公报

专利文献3:特开11-117062号公报

专利文献4:特开平4-301074号公报

专利文献5:特开2003-55762号公报

专利文献6:特开2003-73821号公报

专利文献7:特开2005-42169号公报

因此,鉴于这样的情况,本发明的课题在于,提供初期稳定性显 著提高同时减少溅射中期和后期的打弧、而且能够以低成本制造的溅 射靶及其制造方法。

发明内容

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