[发明专利]制造磁记录介质的方法以及磁记录介质无效
| 申请号： | 200880000647.7 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101542607A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 木村香里;镰田芳幸;白鸟聪志;樱井正敏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于 静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 记录 介质 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：
在基底上形成凸出的磁图形；
在所述磁图形之间的凹陷中以及在所述磁图形上沉积非磁性材料；以及
使用含氧蚀刻气体回蚀刻所述非磁性材料，同时改良所述非磁性材料的表面。
2.根据权利要求1的方法，其中在整个或部分回蚀刻时间中使用所述含氧蚀刻气体。
3.根据权利要求1的方法，其中在所述蚀刻气体中氧浓度为1％以上至70％以下。
4.根据权利要求1的方法，其中重复所述非磁性材料的沉积和所述非磁性材料的回蚀刻多次。
5.根据权利要求1的方法，其中在与所述基底的表面垂直的方向上执行所述非磁性材料的回蚀刻。
6.根据权利要求1的方法，其中所述非磁性材料是选自Si、SiC、SiC-C、SiOC、SiON、Si3N4、Al、AlxOy、Ti和TiOx的至少一种。
7.一种磁记录介质，包括：
在基底上形成的凸出的磁图形；以及
在所述磁图形之间的凹陷中填充的非磁性材料，其在表面侧的氧浓度高于在基底侧的氧浓度。
8.根据权利要求7的磁记录介质，其中在所述磁图形之间的所述凹陷中填充有其在所述表面侧的氧浓度高于在所述基底侧的氧浓度的所述非磁性材料的多个层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880000647.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
