[发明专利]制造磁记录介质的方法以及磁记录介质

说明书

技术领域

本发明的一个实施例涉及制造磁记录介质特别是构图的介质的方法以及通过该方法制造的磁记录介质。

背景技术

近年来，在信息导向的社会中，需要存储在记录介质中的信息量持续增加。为了跟上数据量的增加，要求具有极高记录密度的记录介质和记录装置。关于持续要求作为高容量和便宜的磁记录介质的硬盘，预测将在几年后需要比当前记录密度高约十倍的每平方英寸一太比特(terabit)以上的记录密度。

在用于硬盘的现有磁记录介质中，在由微细磁性颗粒的多晶制成的薄膜的特定区域中记录一个比特。因此，为了提高磁记录介质的记录容量，必须提高记录密度。为此，必须减小每比特记录中可用的记录标记尺寸(mark size)。然而，如果简单地减小记录标记尺寸，就不能忽略微细磁性颗粒的形状引起的记录噪声的影响。替代地，如果进一步减小微细磁性颗粒的尺寸，则由于热波动，不可能在常规温度下维持记录在微细磁性颗粒中的信息。

为了避免该问题，提出了使用离散比特型构图的介质，其中预先通过非磁性材料分隔记录点，以便使用单个记录点作为一个记录单元来执行读取和写入。

并且，在安装到硬盘驱动器(HDD)中的磁记录介质中，存在由于相邻磁道之间的干扰阻碍磁道密度的提高的日益严重的问题。特别地，一个严重的技术主题是降低由来自写入头的磁场的边缘效应引起的写入模糊。为了解决该问题，提出了例如离散磁道记录型构图的介质(DTR介质)，其中记录磁道被物理分离。DTR介质能够减少在写入时擦除相邻磁道的信息的侧擦除现象和在读取时读出相邻磁道的信息的侧读取现象。因此，DTR介质被预期作为能够提供高记录密度的磁记录介质。应注意，在广义上，术语“构图的介质”包括离散比特型构图的介质以及DTR介质。

为了利用浮动(flying)磁头读取和写入DTR介质，希望平坦化DTR介质的表面。具体地，为了将厚度为20nm的垂直磁记录层加工成构图的介质，形成深度为20nm的沟槽。另一方面，由于浮动磁头的设计浮动高度为约10nm，当留下深的沟槽时，磁头会接触构图的介质。因此，已经试图用非磁性材料填充磁图形之间的凹陷，以便平坦化介质表面。

为了填充磁图形之间的凹陷且平坦化表面，已知例如通过RF溅射沉积SiO或SiO₂(日本专利申请KOKAI公开No.2006-236474)。

然而，由于在用于非磁性材料的RF溅射的常规方法中使用含氧气体，存在着磁图形的侧壁由于氧化而被损伤的问题。另外，通过使用含氧气体进行RF溅射，会产生工艺尘埃(process dust)或者引起非磁性材料的厚度分散(thickness dispersion)。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供一种制造磁记录介质的方法，其包括以下步骤：在基底上形成凸出的磁图形；在所述磁图形之间的凹陷中以及在所述磁图形上沉积非磁性材料；以及使用含氧蚀刻气体回蚀刻所述非磁性材料，同时改良所述非磁性材料的表面。

根据本发明的另一个实施例，提供一种磁记录介质，其包括：形成在基底上的凸出的磁图形；以及在所述磁图形之间的凹陷中填充的非磁性材料，其在表面侧的氧浓度高于在基底侧的氧浓度。

附图说明

图1是沿圆周方向根据本发明的一个实施例的DTR介质的平面图；

图2是沿圆周方向根据本发明的另一个实施例的离散比特型构图的介质的平面图；

图3A至3H是示出根据本发明的一个实施例的构图的介质的制造方法的截面图；

图4A和4B示出在回蚀刻之后用原子力显微镜(AFM)进行介质的表面测量的结果；

图5示出在回蚀刻之后在非磁性材料中组分分布的EDX分析的结果；以及

图6是具有非磁性材料的构图的介质的截面图，其中非磁性材料具有组分分布。

具体实施方式

下文中将参考附图说明根据本发明的各个实施例。

图1示出沿圆周方向根据本发明的一个实施例的构图的介质(DTR介质)的平面图。如图1中所示，沿着构图的介质1的圆周方向交替形成伺服区2和数据区3。伺服区2包括前导码部分(preamble section)21、地址部分22和脉冲部分(burst section)23。数据区3包括离散磁道31。

图2示出沿圆周方向根据本发明的另一个实施例的构图的介质(离散比特型构图的介质)的平面图。在该构图的介质中，在数据区3中形成磁点32。

将参考图3A至3H说明根据本发明的一个实施例制造构图的介质的方法。