[发明专利]制造离散轨道记录介质的方法和离散轨道记录介质

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及制造离散轨道记录介质的方法和通过这种方法制造的离散轨道记录介质。

背景技术

近来，在纳入硬盘驱动器(HDD)的磁性记录介质中，由于相邻轨道之间的干扰，使轨道密度增加的干扰问题增大。特别地，一个重要的技术主题是减少由来自写磁头的磁场的边缘效应所造成的写模糊。

为了解决这样的问题，提出了例如离散轨道记录型构图介质(DTR介质)，其中记录轨道物理分开。DTR介质能够减少写入过程中擦除邻近轨道上的信息的侧擦除现象或读取过程中读出邻近轨道上信息的侧读取现象，由此公知可以增加轨道密度。因此，预期DTR介质为一种能够提供高记录密度的磁记录介质。

为了用浮动(flying)磁头读和写DTR介质，期望将DTR介质的表面整平。具体地，为了完全分离邻近轨道，例如移除厚度约4nm的保护层和厚度约20nm的磁记录层以形成深度约24nm的凹进，从而形成磁性图形。另一方面，由于浮动磁头的设计浮动高度约为10nm，如果留下很深的凹进会使得磁头浮动不稳定。因此，已经尝试用非磁性材料填充磁性图形之间的凹进，由此整平介质的表面，以保证磁头的浮动稳定性。

传统地，已经提出下面的方法来通过利用非磁性材料填充磁性图形之间的凹进获得具有平整表面的DTR介质。例如，在一种公知的方法中，通过两阶段偏压溅射，用非磁性材料填充磁性图形之间的凹进，制造出平坦表面的DTR介质(参见日本专利N0.3686067)。然而，在通过偏压溅射使用非磁性材料填充DTR介质的凹进时，公知衬底偏压带来的温度升高会导致磁记录介质劣化和退化。

可以通过在执行偏压溅射的同时强制地冷却衬底来避免温度升高，但是为了强制地冷却衬底，衬底的后表面必须紧密固定到冷却机构上。在这种情况下，衬底的后表面会受到损坏，并且已经发现，基本上通过偏压溅射不能处理两个表面。如果不能处理两个表面，DTR介质的记录容量会减少到一半。

因此，通过采用能够处理两个表面的沉积方法，并且为了整平DTR介质的表面，可以考虑重复这样的过程，即在磁性图形之间的凹进中以及在磁性图形上沉积非磁性材料，并回蚀非磁性材料。然而，在重复非磁性材料的沉积和回蚀时，非磁性材料的厚度可能不均匀，很难令人满意地重现。由于这样的非磁性材料的厚度偏差会根据制造装置而变化，因此，通过单独调整制造装置的方法基本上不能解决该问题。

发明内容

根据本发明一个实施例，提供一种制造离散轨道记录介质的方法，包括：在衬底上形成突起的磁性图形；伴随着将所述衬底沿其平面旋转小于一周的角度而两次或更多次重复这样的工艺，即，沉积非磁性材料以填充在所述磁性图形之间的凹进中和回蚀所述非磁性材料。根据本发明另一实施例，提供一种离散轨道记录介质，包括：在衬底上形成的突起的磁性图形以及在所述磁性图形之间的凹进中填充的非磁性材料，其中在衬底的外围边缘部分中形成六个或更多的指作为在沉积非磁性材料时所述衬底的夹持部分的标记。

附图说明

图1是根据实施例的DTR介质沿圆周方向的平面图；

图2A到2K是示出根据实施例的DTR介质的制造方法的截面图；

图3是根据实施例用于制造DTR介质的装置的顶视图；

图4A到4D是示出衬底旋转腔中的载体状态的平面图；

图5是解释在衬底旋转腔中旋转衬底的方法的截面图；以及

图6是示出了实例4中DTR介质中出现的指的示图。

具体实施方式

图1是根据本发明实施例的DTR介质沿圆周方向的平面图。如图1所示，伺服区2和数据区3沿DTR介质1的圆周方向交替形成。伺服区2包括前导区段21、地址区段22以及脉冲(burst)区段23。数据区3包括离散轨道31。

现在参照图2A到2K，描述根据本发明实施例的DTR介质制造方法。为了简化说明，这里仅处理衬底的一面。

在玻璃衬底51上，相继形成由CoZrNb制成的厚度为120nm的软磁性底层(未示出)，由Ru制成的厚度为20nm的、用于取向控制的底层(未示出)，由CoCrPt-SiO₂制成的厚度为20nm的磁记录层52，以及由碳(C)制成的厚度为4nm的保护层53。为了简化说明，没有示出软磁性底层和取向控制层。在保护层53上，通过旋涂(spin-coating)形成厚度100nm的旋涂玻璃(SOG)作为抗蚀剂54。将压模(stamper)61布置为面对抗蚀剂54。压模61具有与图1中示出的磁性图形相反形式的突起和凹进图形(图2A)。