[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括下列步骤：

提供具有基板(31)和下绝缘膜(1)的基底衬底；

在所述下绝缘膜上固定多个半导体结构(2)，所述半导体结构(2)中 的每一个包括半导体衬底(4)和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连 接电极(13)；

在所述下绝缘膜上形成覆盖所述半导体结构的外围的密封膜(28)；

从所述下绝缘膜(1)上去除所述基板；

在所述下绝缘膜下方形成多个下布线线路(22)，使得所述下布线线路 中的每一个连接至每一个所述半导体结构的每一个所述外部连接电极；以 及

切割在所述半导体结构之间的所述下绝缘膜和所述密封膜，以获得多 个半导体器件，

其中所述基底衬底还包括形成在所述基板上的保护金属层(35)以及 形成在所述保护金属层(35)上的第一基础金属层(23a)，并且所述下绝 缘膜(1)形成在所述第一基础金属层上，并且

去除所述基板的所述步骤包括去除所述保护金属层(35)的步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中在所述下绝缘膜 上固定所述多个半导体结构的所述步骤包括如下子步骤：将粘结层(3)预 先提供到所述下绝缘膜上，以及将所述半导体结构热压到所述下绝缘膜上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中在所述下绝缘膜 上固定所述半导体结构的所述步骤包括如下子步骤：将粘结片预先提供到 所述下绝缘膜上，以及将所述半导体结构热压到所述下绝缘膜上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，还包括如下步骤：在 形成所述下布线线路之前，在所述下绝缘膜和粘结层的与所述半导体结构 的所述外部连接电极相对应的部分中形成开口(21)，其中所述粘结层用于 将所述半导体结构(2)固定在所述下绝缘膜上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中在形成所述下绝 缘膜之前，对所述第一基础金属层的上表面(23a1)进行粗糙化，并通过 含有树脂的材料形成所述下绝缘膜。

6.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，还包括如下步骤：在 去除除了所述基底衬底的所述第一基础金属层之外的任意层之后，在所述 第一基础金属层、所述下绝缘膜以及粘结层的与所述半导体结构的所述外 部连接电极相对应的部分中形成开口(21)，其中所述粘结层用于将所述半 导体结构(2)固定在所述下绝缘膜上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件制造方法，其中形成所述多个下 布线线路(22)的所述步骤包括在所述第一基础金属层中的每一层上形成 第二基础金属层(23b)并通过电解镀覆在所述第二基础金属层上形成上金 属层(24)的子步骤；并且所述下布线线路(22)中的每一个具有包括第 一和第二基础金属层(23a，23b)以及所述上金属层(24)的三层结构。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制造方法，其中所述基板、所述 第一和第二基础金属层以及所述上金属层由铜制成，而所述保护金属层由 镍制成。

9.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中提供所述基底衬 底的所述步骤包括在所述下绝缘膜上的半导体结构安装区域周围形成上布 线线路(41)的步骤，并且

在所述下绝缘膜下方形成所述多个下布线线路的所述步骤包括将所述 下布线线路连接至所述上布线线路的步骤。

10.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中通过模制法来 形成所述密封膜(28)。