[发明专利]半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法无效
| 申请号： | 200880001275.X | 申请日： | 2008-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101569024A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 龟井英德 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光器件的制造方法，其特征在于：
包括：
在衬底上形成由n型层、活性层及p型层构成的发光层的工序，
除去所述活性层的一部分和所述p型层的一部分，再在所述n型层上形成n侧电极，并在所述p型层上形成p侧电极的工序，
使所述衬底附着在磨削台上的工序，
对所述衬底进行磨削的工序，
使支撑衬底附着在进行了所述磨削的衬底面上的工序，
从附着了所述支撑衬底的所述衬底上剥离所述磨削台的工序，
在所述n型层中形成槽口的工序，以及
使所述支撑衬底剥离的工序。
2.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
包括：
在衬底上形成由n型层、活性层及p型层构成的发光层的工序，
除去所述活性层的一部分和所述p型层的一部分，再在所述n型层上形成n侧电极，并在所述p型层上形成p侧电极的工序，
使所述衬底附着在磨削台上的工序，
对所述衬底进行磨削的工序，
使支撑衬底附着在进行了所述磨削的衬底面上的工序，
从附着了所述支撑衬底的所述衬底上剥离所述磨削台的工序，
在所述n型层中形成槽口的工序，
使所述n侧电极及所述p侧电极与形成有引出电极的镶嵌芯片连接的工序，以及
使所述支撑衬底剥离的工序。
3.根据权利要求2所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
在所述使所述支撑衬底剥离的工序之后还包括形成含荧光体密封层的工序。
4.一种半导体发光器件的制造方法，其特征在于：
包括：
在衬底上形成由n型层、活性层及p型层构成的发光层的工序，
除去所述活性层的一部分和所述p型层的一部分，再在所述n型层上形成n侧电极，并在所述p型层上形成p侧电极的工序，
使所述衬底附着在磨削台上的工序，
对所述衬底进行磨削的工序，
对进行了所述磨削的衬底面进行防止全反射处理的工序，
使支撑衬底附着在进行了所述防止全反射处理的衬底面上的工序，
从附着了所述支撑衬底的所述衬底上剥离所述磨削台的工序，
在所述n型层中形成槽口的工序，以及
使所述支撑衬底剥离的工序。
5.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
包括：
在衬底上形成由n型层、活性层及p型层构成的发光层的工序，
除去所述活性层的一部分和所述p型层的一部分，再在所述n型层上形成n侧电极，并在所述p型层上形成p侧电极的工序，
使所述衬底附着在磨削台上的工序，
对所述衬底进行磨削的工序，
对进行了所述磨削的衬底面进行防止全反射处理的工序，
使支撑衬底附着在进行了所述防止全反射处理的衬底面上的工序，
从附着了所述支撑衬底的所述衬底上剥离所述磨削台的工序，
在所述n型层中形成槽口的工序，
使所述n侧电极及所述p侧电极与形成有引出电极的镶嵌芯片连接的工序，以及
使所述支撑衬底剥离的工序。
6.根据权利要求5所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
在所述使所述支撑衬底剥离的工序之后还包括形成含荧光体密封层的工序。
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