[发明专利]半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制作在较薄的衬底上形成发光层而成的半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法。

背景技术

发光二极管及激光二极管等半导体发光装置是能够通过在蓝宝石或GaN系列的衬底上形成发光层而得到的。形成发光层后，不需要所述衬底。但是，因为发光层稳定地形成在衬底上，所以有意地不除去衬底，而作为半导体发光器件的一部分利用所述衬底。因此，以具有透明性的材料形成衬底。

若半导体发光器件的衬底厚度较薄，从衬底侧面漏出的损失光较少。因此，若能够将衬底形成得薄，就能够使半导体发光器件进行近似于面发光的发光。

另一方面，若将衬底形成得薄，机械强度就会比较低，因而衬底会破裂，产品合格率会下降。这是一个课题。针对于此，有下述技术(参照专利文献1)，即：在衬底上形成发光层，再将该形成有发光层的衬底固定在电极上，然后用激光进行照射，来使发光层从衬底上剥离。

此外，也有人公开了下述技术(参照专利文献2)，即：用双面胶带将衬底贴在别的衬底上，再从紧贴部除去气泡，来在使衬底不破裂的状态下加工成很薄的衬底的技术。专利文献1：日本公开专利公报特开2006-128659号公报专利文献2：日本公开专利公报特开2002-158193号公报

-发明要解决的技术问题-

利用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition：金属有机化学气相沉积)法等薄膜形成方法，以很薄的厚度在衬底上形成发光层。因此，若用激光照射而除去衬底，就在有些情况下，该照射时产生的热性或机械性损害会使发光层的特性恶化。另一方面，即使能够稳定地加工成很薄的衬底，在很薄的衬底上形成发光层时也有在加工的中途造成衬底破裂之虞。

很理想的是下述制造方法，即：能够在较厚的衬底上形成发光层，再将该衬底稳定地加工成很薄的厚度。本发明正是为解决上述课题而研究开发出来的。

发明内容

-用以解决技术问题的技术方案-

为解决所述课题，在本发明中，在较厚的衬底上形成发光层，再将该形成了发光层的衬底固定在磨削台上，然后对衬底进行磨削，来使衬底厚度变薄。之后，使支撑衬底暂时附着在该变薄后的衬底上。之后，在暂时附着有支撑衬底的状态下将衬底从磨削台上取下，切断加工成一个个器件，再将该一个个器件固定在形成有引出电极等的镶嵌芯片(sub-mount)上。这样制作半导体发光装置，最后除去支撑衬底。

-发明的效果-

根据本发明的制造方法，在较厚的衬底上形成发光层，将衬底磨削成较薄的厚度，然后用支撑衬底增强由于衬底厚度变薄而下降的机械强度。因此，在使衬底变薄并且能够保持机械强度的状态下进行加工，因而能够用与现有技术一样的制造设备以很高的产品合格率得到衬底很薄的半导体发光装置。

附图说明

[图1]图1是显示半导体发光装置的结构的图。[图2]图2是显示半导体发光器件的剖面的图。[图3]图3是从射光面一侧看半导体发光器件而得到的俯视图。[图4]图4是显示第一实施方式的制造方法的图。[图5]图5是显示第一实施方式的制造方法的图。[图6]图6是显示第一实施方式的制造方法的图。[图7]图7是显示利用第一实施方式的制造方法得到的半导体发光装置的图。[图8]图8是显示第二实施方式的制造方法的重要工序的图。[图9]图9是显示利用在第二实施方式中所显示的制造方法得到的半导体发光装置的图。[图10]图10是显示利用在第二实施方式中所显示的制造方法得到的半导体发光装置的图。

-符号说明-

1-半导体发光装置；10-半导体发光器件；11-衬底；12-n型层；13-活性层；14-p型层；16-n侧电极；17-p侧电极；20-支撑物；21-镶嵌芯片；22-n侧引出电极；23-p侧引出电极；24-n侧凸块；25-p侧凸块；26、27-通孔；30-射光面；36-磨削台；38-填充材料；42-支撑衬底；44-槽口(notch)；50-含荧光体密封层；57-进行了防止全反射处理的射光面。

具体实施方式

(第一实施方式)图1显示本发明的半导体发光装置1。半导体发光装置1具有在镶嵌芯片21上固定有半导体发光器件10的结构。