[发明专利]制造非易失性存储器器件的方法

权利要求书

1.一种用于使用半导体衬底形成非易失性存储器器件的方法，包括：

形成覆盖所述半导体衬底的电荷储存层；

形成覆盖所述电荷储存层的栅极材料层，以形成控制栅电极；

形成覆盖所述栅极材料层的保护层；

在所述控制栅电极的至少一侧上与所述控制栅电极自对准地将掺杂剂注入到所述半导体衬底中，所述掺杂剂在所述控制栅电极相对侧的所述半导体衬底中形成源极和漏极，所述保护层防止所述掺杂剂渗透到所述控制栅电极中；

移除覆盖所述栅极材料层的所述保护层；以及

形成到所述控制栅电极、所述源极和所述漏极的电接触。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述保护层包括在不移除所述非易失性存储器器件的任何暴露的硅、氮化硅和氧化硅表面的情况下能够被刻蚀的材料。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包括：使用硅锗或氮化钛之一作为所述保护层。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：使用纳米簇层或者包括氮化物的材料层来实施所述电荷储存层。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在将带电离子注入到所述半导体衬底以形成所述源极和所述漏极之前形成选择栅电极，所述选择栅电极与所述控制栅电极相邻并且与所述控制栅电极电隔离。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括：

通过形成第一间隔物而使所述选择栅电极与所述控制栅电极电分离，第一间隔物与所述控制栅电极相邻并且位于所述控制栅电极和所述选择栅电极之间，以及

形成覆盖所述控制栅电极的第二间隔物。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成所述保护层的步骤进一步包括：

形成第一材料层，所述第一层包括硅锗或氮化材料；以及

形成覆盖所述第一材料层的第二材料层，所述第二材料层包括氧化物。

8.如权利要求1所述的方法，其中在所述控制栅电极的两个相对侧，掺杂剂到所述半导体衬底中的注入是与所述控制栅电极自对准的。

9.一种用于使用半导体衬底形成非易失性存储器器件的方法，包括：

形成电荷储存层，所述电荷储存层包括储存电荷的材料；

形成覆盖所述电荷储存层的控制栅电极；

形成覆盖所述控制栅电极的保护层，所述保护层通过能够被下述刻蚀剂所刻蚀而允许刻蚀选择性，所述刻蚀剂不刻蚀氧化物、硅和氮化物；

形成与所述控制栅电极相邻的第一侧壁间隔物；

形成与所述第一侧壁间隔物相邻的第二侧壁间隔物；

从所述控制栅电极的一侧移除所述第二侧壁间隔物，而留下与所述控制栅电极的相对侧相邻的剩余的第二侧壁间隔物；

在所述半导体衬底中形成第一电流电极区和第二电流电极区，所述第一电流电极区和第二电流电极区分别与所述第一侧壁间隔物的外部边缘和所述第二侧壁间隔物的外部边缘对准；

由所述剩余的第二侧壁间隔物形成选择栅电极；

移除覆盖所述控制栅电极的所述保护层；以及

制作到所述控制栅电极、所述选择栅电极以及所述第一电流电极区和第二电流电极区的电接触。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括：将所述电荷储存层形成为纳米簇层。

11.如权利要求9所述的方法，其中形成所述保护层的步骤进一步包括：

形成第一材料层，所述第一层包括硅锗或氮化材料；以及

形成覆盖所述第一材料层的第二材料层，所述第二材料层包括氧化物。

12.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

由电介质材料形成所述第一侧壁间隔物；以及

由传导材料形成所述第二侧壁间隔物。

13.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

形成第三侧壁间隔物，所述第三侧壁间隔物与所述剩余的第二侧壁间隔物和所述第一侧壁间隔物的暴露部分相邻，所述第三侧壁间隔物包括电介质材料。