[发明专利]制造具有局部结合金属的半导体栅极的晶体管的方法无效
| 申请号： | 200880002035.1 | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101675501A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·慕勒;格里高利·比达尔 | 申请（专利权）人： | ST微电子（克偌林斯2）SAS公司;恩智浦半导体 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩 龙;阎娬斌 |
| 地址： | 法国克*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 具有 局部 结合 金属 半导体 栅极 晶体管 方法 | ||
1.一种形成场效应晶体管的方法，该场效应晶体管包括形成在绝缘层上的栅极(G)，在与该绝缘层接触的区域中，该栅极具有在栅极(G)长度上的半导体中心区域(50)和横向区域(48)，该方法包括：
形成栅极(G)，该栅极包括绝缘层部分(32)、形成在绝缘层部分上方的半导体层部分(34)、和形成在半导体层部分上方的掩模层部分(36)；
执行掩模层部分(36)的蚀刻以便在栅极(G)的中心只留下一部分(44)；和
使半导体层部分(34)与沉积在栅极上方的金属层(46)起反应。
2.如权利要求1所述的方法，其中半导体层部分(34)具有使金属和栅极之间的反应在高度方向比长度方向和深度方向更快的结构。
3.如权利要求2所述的方法，其中半导体层部分(34)由多晶硅形成。
4.如权利要求3所述的方法，其中半导体层部分(34)和金属层(46)之间的反应是硅化反应。
5.如权利要求1所述的方法，其中掩模层部分(36)的蚀刻在栅极的横向长度方向上移除的掩模层的距离小于栅极长度的一半，并且垂直移除掩模层部分(36)的一部分。
6.如权利要求1所述的方法，其中在栅极(G)的每侧上形成间隔物。
7.如权利要求1所述的方法，其中掩模层部分(36)是由在金属层和栅极材料之间起反应的期间不会起反应的材料制成，并且允许其被栅极的材料和间隔物选择性蚀刻。
8.如权利要求1所述的方法，其中掩模层部分(36)是由氧化硅制成的。
9.如权利要求1所述的方法，其中金属层(46)选自由镍、钴和钛组成的组。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ST微电子（克偌林斯2）SAS公司;恩智浦半导体，未经ST微电子（克偌林斯2）SAS公司;恩智浦半导体许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
