[发明专利]电路基板及其制造方法无效
申请号: | 200880002172.5 | 申请日: | 2008-02-27 |
公开(公告)号: | CN101578928A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 柳本博;别所毅;绳舟秀美;赤松谦祐 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H05K3/20 | 分类号: | H05K3/20;H05K3/10;H05K3/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 路基 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电路基板及其制造方法,尤其涉及在由树脂材料等形成的 薄膜状基板表面上,沿着所希望的图案形成金属布线的电路基板及其制造 方法。
背景技术
作为在呈薄膜状的树脂基板表面上形成微细的电路图案的方法,公知 有真空蒸镀法、溅射法等干法工艺(dry process)。另外,例如利用铜箔那 样的金属膜覆盖由聚酰亚胺树脂形成的基板的表面全体,制成金属被覆材 料,并通过光刻法等进行蚀刻处理,除去不需要部位的金属膜的移除法 (subtractive method)也被广泛采用。但是,利用移除法难以形成具有30 μm左右以下宽度的微细布线,面向下一代高密度线路基板的制造,正在 谋求更进一步的技术革新。
作为对此的响应,专利文献1记载了一种针对聚酰亚胺薄膜的金属布 线的形成方法。该方法中通过向聚酰亚胺薄膜的被选择的部位,利用描绘 装置等赋予可溶解聚酰亚胺的药液,来选择性地进行蚀刻,形成凹部。此 时,残存的聚酰亚胺表面被改质,能够吸附金属离子。之后,通过金属离 子含有溶液和上述聚酰亚胺接触,只在上述改质部吸附金属离子。然后, 通过使其与金属离子还原剂接触,在由上述蚀刻形成的聚酰亚胺凹部析出 金属(氧化物)纳米离子集合体。最后,通过实施无电解或电解镀处理, 向凹部析出金属膜,形成微细的电路。通过此方法,与以往的移除法相比, 能够廉价地制造出微细的布线。
[专利文献1]特开2005-29735号公报
在上述方法中,通过使用了药液的蚀刻在作为基板的聚酰亚胺薄膜的 表面,形成布线用的凹部,蚀刻为各向同性。因此,当所需要的布线膜厚 为10μm以下那样薄时,可期待能够形成微细的电路图案,但当需要膜厚 厚的布线时,必然凹部的宽度也变大,结果,布线的微细化、高密度变得 困难。而且,难以形成纵横比为1以上的布线,这也成为阻碍布线微细化 的要因。并且,由于向聚酰亚胺薄膜逐次赋予药液,所以处理工序增多, 不可避免成本增高。
发明内容
本发明正是鉴于上述的情况而提出的,其课题在于,提供一种能够用 更简单的工序,制造具有更微细化的电路图案的电路基板的新的制造方 法。而且,提供利用此制造方法得到的新的电路基板。
本发明涉及的制造在基板表面具备所希望的金属布线的电路基板的方 法,至少包含以下工序:使用在表面具有与电路图案对应的凸部的铸模, 向该铸模的上述凸部前端赋予导电材料层的工序;将上述凸部前端被赋予 了导电材料层的铸模压接到上述基板表面,与上述凸部形状一起,将上述 导电材料层转印到基板表面上的工序;及将被转印上述导电材料层作为基 材,在被转印的凹部内形成金属布线的工序。
在上述的制造方法中,由于铸模上形成的凸部的形状被原样地转印到 基板侧,所以能够在基板表面形成具有任意纵横比(即深度与宽度之比) 的凹部,结果,能够在基板表面形成以更高密度微细化的凹部图案。另外, 由于通过将铸模压接到基板表面,可同时进行凸部形状向基板表面的转印 和导电材料层向所形成的凹部底面的转印,所以还可简化制造工序。并且, 通过上述压接,导电材料层向基板侧的转印状态也变得稳定。
对于形成了凹部的基板,通过将被转印到凹部底面的导电材料层作为 基材加以利用,在凹部内形成金属布线,来形成本发明的电路基板。如上 所述,形成在基板表面的凹部图案以高密度微细化,可得到具有高布线密 度的电路基板。在本发明的电路基板中,由于通过在高电流通过的布线位 置将布线形状处理成高纵横比,可以解决本发明的课题,所以即使将电路 图案微细化(高密度化),在实装品中也不会有损绝缘的可靠性。
在本发明的电路基板的制造方法中,作为形成上述导电材料层的素材, 没有进行限定,可采用混合了无机金属粒子和溶剂的金属糊、或混合了有 机金属化合物和溶剂的树脂酸盐糊(resinate paste)。金属糊没有限制, 特别优选作为低电阻材料的铜糊。此外,也可使用银糊、金糊或镍糊等。 该情况下,优选金属粒子的粒径为数nm~数百nm左右。对于树脂酸盐 糊例如可举出树脂酸铜、树脂酸银、树脂酸金或树脂酸镍。当采用金属糊 时,通过基于热压接进行向基板的转印,使金属粒子的烧结处理进展而形 成金属膜,其一部分被嵌到基板侧。由此,金属膜向基板侧的转印也可靠 地进行。烧结温度根据基板侧材料选择,优选为100~500℃。
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