[发明专利]利用自对准的双应力膜增强NMOSFET和PMOSFET的性能

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

基板；

第一半导体上金属场效晶体管MOSFET，具有形成于所述基板上的第一沟道；

第二MOSFET，具有形成于所述基板上的第二沟道；

第一膜，位于所述第一MOSFET之上，并且至少向所述第一晶体管的沟道提供第一应力；以及

第二膜，位于所述第二MOSFET之上，并且至少向所述第二晶体管的沟道提供第二应力，其中所述第二膜具有有角度的凸起，其自对准到所述第一膜的边缘，且所述第一应力不等于所述第二应力。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一膜邻接所述第二膜，所述第一膜不叠覆所述第二膜，且所述第二膜不叠覆所述第一膜。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一膜和所述第二膜是电介质膜。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述第一应力是拉伸应力，且所述第二应力是压缩应力。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述第一膜具有大于约150MPa的拉伸应力，且所述第二膜具有大于约150MPa的压缩应力。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述第一MOSFET是n型MOSFET(NMOSFET)且所述第二MOSFET是p型MOSFET(PMOSFET)。

7.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述第一膜直接接触所述第一MOSFET的栅极导体以及所述第一MOSFET的源极和漏极区域。

8.如权利要求4所述的半导体结构，进一步包括浅槽隔离STI，其中在所述STI之上所述第一膜邻接所述第二膜，且所述第一膜和所述第二膜接触所述STI。

9.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述有角度的凸起位于栅极导体之上，且所述第一膜和所述第二膜接触所述栅极导体。

10.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述第一膜是第一氮化硅膜，且所述第二膜是第二氮化硅膜。

11.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述第一膜直接接触所述第一MOSFET的间隔物，且所述第二膜直接接触所述第二MOSFET的间隔物。

12.如权利要求4所述的半导体结构，进一步包括直接位于所述第一膜顶部的蚀刻停止层。

13.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供具有第一MOSFET和第二MOSFET的半导体基板；

在所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之上形成第一应力膜；

移除位于所述第二MOSFET之上的部分所述第一应力膜；

在所述第一应力膜和所述第二MOSFET之上形成第二应力膜；

光刻图案化所述第二应力膜，以使得光致抗蚀剂的边缘位于所述第一应力膜之上的所述第二应力膜的台阶附近，且被布置为从所述台阶朝向所述第二应力膜的叠覆所述第一膜的部分；以及

蚀刻所述第二应力膜，以使得邻接所述第一应力膜的有角度的凸起形成在所述第二应力膜的边缘处，并且没有任何部分的所述第二应力膜直接叠覆所述第一应力膜。

14.如权利要求13所述的方法，其中在所述蚀刻所述第二应力膜期间，从所述光致抗蚀剂下蚀刻一部分所述第二应力膜。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述光致抗蚀剂相对于所述第二应力膜中的台阶的叠覆容差小于所述第二应力膜厚度的约两倍。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述第一应力膜具有第一应力且所述第二层具有第二应力，其中所述第一应力和所述第二应力不相等。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述第一应力膜直接接触所述第一MOSFET的间隔物和所述第一MOSFET的源极和漏极区域，且所述第二应力膜直接接触所述第二MOSFET的间隔物和所述第二MOSFET的源极和漏极区域。

18.如权利要求16所述的方法，进一步包括在所述第一应力膜之上形成蚀刻停止层。