[发明专利]各向异性导电膜有效
申请号: | 200880002847.6 | 申请日: | 2008-01-17 |
公开(公告)号: | CN101589514A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 宫内幸一;阿久津恭志;山田泰伸 | 申请(专利权)人: | 索尼化学&信息部件株式会社 |
主分类号: | H01R11/01 | 分类号: | H01R11/01;C09J4/02;C09J7/00;C09J11/06;C09J201/00;H01B5/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴 娟;李平英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 各向异性 导电 | ||
1.各向异性导电膜,该导电膜含有聚合性丙烯酸系化合物、薄膜形成树脂、导电性颗粒和聚合引发剂而形成,其特征在于:上述聚合引发剂含有通过分解不产生氧气且1分钟半衰期温度不同的两种有机过氧化物,这两种有机过氧化物中,1分钟半衰期温度高的有机过氧化物为通过分解产生苯甲酸或其衍生物的有机过氧化物。
2.权利要求1所述的各向异性导电膜,其中,上述两种有机过氧化物中,1分钟半衰期温度低的有机过氧化物的1分钟半衰期温度为80℃以上且不足120℃;1分钟半衰期温度高的有机过氧化物的1分钟半衰期温度为120℃以上且150℃以下。
3.权利要求1或2所述的各向异性导电膜,其中,分解温度不同的两种有机过氧化物之间的1分钟半衰期温度差为10℃以上且30℃以下。
4.权利要求1或2所述的各向异性导电膜,其中,上述两种有机过氧化物中,1分钟半衰期温度低的有机过氧化物与1分钟半衰期温度高的有机过氧化物的重量比为10∶1~1∶5。
5.权利要求1或2所述的各向异性导电膜,其中,上述两种有机过氧化物中,1分钟半衰期温度低的有机过氧化物为二月桂酰过氧化物,1分钟半衰期温度高的有机过氧化物为二苯甲酰过氧化物。
6.权利要求1或2所述的各向异性导电膜,其中,聚合性丙烯酸系化合物为磷酸酯型丙烯酸酯或具有芴基的丙烯酸酯。
7.权利要求1或2所述的各向异性导电膜,其中,薄膜形成树脂为聚酯树脂、聚氨酯树脂或苯氧树脂。
8.连接结构体,该连接结构体是利用权利要求1~7中任一项所述的各向异性导电膜将第1配线基板的连接部与第2配线基板的连接部之间进行各向异性连接。
9.连接结构体的制造方法,其特征在于:将权利要求1~7中任一项所述的各向异性导电膜挟持在第1配线基板的连接部与第2配线基板的连接部之间,在1分钟半衰期温度低的有机过氧化物不发生分解的第1温度下临时贴附,之后在1分钟半衰期温度高的有机过氧化物发生分解的第2温度下进行热压合。
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