[发明专利]电阻糊剂及层叠陶瓷电容器

权利要求书

1.一种电阻糊剂，其是含有In-Sn复合氧化物、玻璃熔料和有机载体 的电阻糊剂，其特征在于，

还含有选自Ni和Cu中的至少一种作为致密化促进金属以及选自Mo、 Cr和Nb中的至少一种作为致密化抑制金属，其中，所述致密化促进金属 对烧成所述电阻糊剂而得的烧结体的致密化有促进作用，所述致密化抑制 金属对所述致密化有抑制作用，其中，

In-Sn复合氧化物是在In₂O₃中使1～20重量％左右的SnO₂固溶而合成 的，In-Sn复合氧化物与玻璃熔料的体积比为30∶70～70∶30。

2.一种电阻糊剂，其是含有In-Sn复合氧化物、玻璃熔料和有机载体 的电阻糊剂，其特征在于，

当将In-Sn复合氧化物ITO、选自Ni和Cu中的至少一种的作为对烧 成所述电阻糊剂而得的烧结体的致密化有促进作用的致密化促进金属Mp 和选自Mo、Cr和Nb中的至少一种的作为对所述致密化有抑制作用的致 密化抑制金属Mc的组成比(ITO，Mp，Mc)用体积％表示时，以处于附图5 中点A(95，5，0)、点B(92.5，5，2.5)、点C(55，30，15)、点D(50，40，10)以及点 E(70，30，0)连接成的多边形所围区域的组成比，还含有致密化促进金属和致 密化抑制金属，其中，所述多边形所围区域也包含线段AB、BC、CD、 DE和EA上。

3.一种电阻糊剂，其是含有In-Sn复合氧化物、玻璃熔料和有机载体 的电阻糊剂，其特征在于，

还含有选自Al₂O₃和TiO₂中的至少一种作为致密化促进氧化物和选自 ZrO₂和ZnO₂中的至少一种作为致密化抑制氧化物，其中，所述致密化促 进氧化物对烧成该电阻糊剂而得的烧结体的致密化有促进作用，所述致密 化抑制氧化物对所述致密化有抑制作用，其中，

In-Sn复合氧化物是在In₂O₃中使1～20重量％左右的SnO₂固溶而合成 的，In-Sn复合氧化物与玻璃熔料的体积比为30∶70～70∶30。

4.一种电阻糊剂，其是含有In-Sn复合氧化物、玻璃熔料和有机载体 的电阻糊剂，其特征在于，

当将In-Sn复合氧化物ITO、选自Al₂O₃和TiO₂中的至少一种的作为 对烧成该电阻糊剂而得的烧结体的致密化有促进作用的致密化促进氧化 物Op和选自ZrO₂和ZnO₂中的至少一种的作为对所述致密化有抑制作用 的致密化抑制氧化物Oc的组成比(ITO，Op，Oc)用体积％表示时，以处于附 图6中点F(78，22，0)、点G(68，22，10)、点H(55，30，15)、点K(50，40，10)和 L(70，30，0)连接成的多边形所围区域的组成比，还含有致密化促进氧化物和 致密化抑制氧化物，其中，所述多边形所围区域也包含线段FG、GH、HK、 KL和LF上。

5.一种电阻糊剂，其特征在于，混合有权利要求1或2所述的电阻 糊剂和权利要求3或4所述的电阻糊剂。

6.一种层叠陶瓷电容器，其特征在于，

具备：由多个陶瓷层层叠而成的陶瓷层叠体、在所述陶瓷层叠体内部 形成的内部电极、以及在所述陶瓷层叠体的外表面上形成并与所述内部电 极的特定内部电极电连接的外部电极，

所述外部电极具备电阻电极层和在所述电阻电极层上形成的导电电 极层，

所述电阻电极层含有权利要求1～5中任一项所述的电阻糊剂的烧结 体。